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村田高稳定性高可靠性的硅电容器——HSSC系列

2019-01-08
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依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。高稳定性硅电容器是根据重视稳定性的用途而研制的。HSSC系列提供很高的DC电压稳定性,不需要提高精密静电容量电路的静电容量设置值。此项技术在电压和温度的整个工作范围内,都能保持稳定的静电容量,提供行业最佳性能。硅电容器的绝缘电阻非常高,而且很稳定,因此在移动用途上,可使电池寿命最多提高30%。

村田的半导体(硅)技术,以电容器的集成功能

(最大250nF/mm2)为特点,外壳尺寸可以小于以前的解决方案,因此能够满足严格限制体积的要求。此项技术与钽和MLCC等替代的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍,不会发生开裂现象。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准,可以进行无铅回流封装。


特点
  • 超高稳定性(温度、电压、老化)

  • 低漏电流(高绝缘电阻)

  • ESR和ESL极低

  • 温度变化导致的静电容量变化极小。

  • 薄型

  • 最适合无铅回流封装

(详情见本公司的封装应用说明)


用途
  • 医疗、航空航天、汽车产业等要求严格的用途

  • 高稳定性用途

  • 去耦/滤波/电荷泵浦(心脏起搏器、除颤器)

  • 使用电池的设备

  • X7R与NP0的置换

  • 小型化



HSSC系列规格


系列一览




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