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【新品】村田可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器——WLSC系列

2018-12-25
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WLSC系列产品(100μm厚)适用于无线通信(例如5G)、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途。WLSC电容器适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波/噪声滤除功能等。依靠村田*的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺,开发极深沟槽结构的硅电容器,静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的击穿电压为150V to 11V)。本公司的半导体(硅)技术,依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜,完全控制的生产工艺,与其他的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术,使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性极为优秀。并且,因为硅在本质上电介质吸收很小,压电效应也很小,或者几乎没有,所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)


特点
  1. 100μm的极薄型

  2. 低漏电流

  3. 高稳定性(温度、电压)

  4. 老化后静电容量也极少下降。

  5. 支持标准的引线键合封装(球和楔)

(详情见本公司的封装应用说明)



用途
  1. 雷达、基础设施无线通信、数据播放等要求严格的所有用途

  2. 焊盘完全平坦,因此标准的引线键合(在上下面镀金)比MLCC容易

  3. 去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路(例如GaN功率放大器、LDMOS)

  4. 高可靠性用途

  5. 要求小型化和薄型的用途(100μm)

  6. 与单层陶瓷电容器、金属氧化膜半导体完全兼容



WLSC系列规格


(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入


系列一览

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。


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