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超薄硅电容,轻松实现80层陶瓷层的有效容值

2018-08-28
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村田制作所的高容量密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用三维技术来大幅增加电容器表面积,从而在不增加电容器占位面积的情况下,尽可能增加电容量。Murata硅技术是基于嵌在单晶基材中的单片结构(单层MIM和多层MIM -- 金属绝缘体金属)。


更小尺寸,更高性能


这种先进的3D拓扑结构可在惊人的100 μm厚度内实现相当于80层陶瓷层的有效容值区域(可根据要求提供低容值)。 由于其使用了非常线性和低色散的电介质,因此在小型化尺寸,电容值和电气性能等方面实现了优化。


目标细分市场


网络(RF电源和宽带),医疗,汽车和通信等需要高可靠性的应用场景。


以下视频介绍了3D硅电容器的用途、性能和小型化方面等主要优势



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