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刚刚!联电“反击”美光诉讼

2018-11-10
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自美国将福建晋华纳入“实体清单”以来,联电、晋华以及美光关于DRAM专利技术之争就备受关注,而这也被认为是美国禁售的重要原因。随后美国司法部也对晋华、联电以及三名个人提起诉讼,指控两家公司涉嫌窃取美国存储芯片公司美光科技的知识产权和商业机密,估计价值达87.5亿美元。


对于该指控,联电官网在9号晚间更新了最新声明,主要意思如下:


联华电子是国际公认的半导体公司。38年来,在全球的供应链上,已经成为不可或缺的一员,先进量产技术达14纳米。对比之下,美光公司争执所涉及的DRAM技术,是32纳米,在联华电子的计划启动当时,已经是落后几个世代的技术。


社会上有一个错误的印象,认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验,这不是事实,而且是极端的不实。从1996年到2010年,联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上,联华电子内部DRAM团队人数,超过150人。


联华电子是一个有组织的企业机构,藉由坚实而稳定的团队,掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说,现任联华电子共同总经理之一的简山杰,是1996年时开发DRAM产品的RAM 制程开发经理。另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一,该公司是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司,藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外,2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术,这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。


联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程,这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目,在做成决策当时,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易,已经正式提出申请,主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是,那时还未听说有中美贸易战。


自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术,履行合约义务,联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个项目的研发团队成员接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。


相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象,联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。


另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25纳米的DRAM技术。事实是,美光公司在2010年初,购买了中国台湾地区的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25纳米 DRAM技术。


联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼,但联华电子要向我们的客户和投资人保证,联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责,将全力并积极地自我防卫。


以下为公告原文截图:



从上面的公告中也可以看出,联电特别强调了自己在DRAM研发及制造领域的优势,并且在元件设计方面不同于美光公司设计。除此之外,在工艺制程方面也领先于美光公司。简单而言就是,联电没有窃取美光公司商业机密的必要。


但是在声明中也提及,晋华项目研发团队中有不到10%的人曾在美光公司工作,而这也是美国司法部诉讼的重点:


美国司法部认为,在起诉之前,中国大陆并没有掌握动DRAM技术,中国政府和国务院把DRAM和其它微电子技术列为国家经济重点。


根据起诉书,被告之一中国台湾人陈正坤原为美光公司2013年收购的一家电子公司的总经理兼董事长,后来成为美光公司在台湾地区一家子公司美光记忆体(MMT)的总裁。MMT负责为美光公司制造至少一种DRAM芯片。


美国司法部表示,陈正坤2015年从MMT辞职,几乎立即开始为联电工作。在陈的安排下,联电与福建晋华合作,由福建晋华提供资金,联电将DRAM技术转移给福建晋华进行量产,技术由两家公司共享。陈后来成为福建晋华的总裁,并负责其DRAM生产设施。


陈正坤在联华电子期间还招募了很多MMT雇员,包括本案另外两名被告何建亭(音译)和王永明(音译)。在离开MMT之前,何与王都窃取了几项与DRAM设计和生产有关的商业秘密并带给联电。王在离开MMT之前,下载了900多份美光机密和专有文档,把它们存在USB硬盘或个人云存储内,使其在联电工作期间,可以获取相关技术。


对于以上指控,联电或许还需要更加具体的说明。



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