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NAND Flash价格逆转,紫光开工即过剩?

2018-10-15
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来源 |   ©  芯师爷原创组作品

作者丨  ©  Kid


受到智能手机发展停滞、服务器存在出货量不确定以及英特尔处理器缺货的影响,主要NAND Flash闪存制造商将会出现供过于求的情况。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,截止到2018年5月份NAND Flash综合价格指数已累计下滑28%。


此前,三星和海力士等企业曾表示将进行扩产,但今年下半年闪存市场价格下滑以及随时可能出现的产能过剩问题,三星目前已经削减了存储芯片扩产计划以阻止价格进一步下滑。


10月12日,紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。


紫光集团董事长 赵伟国


官方称,紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩,将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线,并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。


1

无惧价格崩跌 紫光全力冲产能


目前,NAND Flash的价格下行趋势已经确立。根据中国闪存市场ChinaFlashMarket近日发布的数据,截止至2018年8月27日,NAND Flash价格指数已累计下滑超过40%,NAND Flash每GB价格下探至0.13美元,基本回到了2016年涨价时期的价格水平。


根据统计机构DRAMeXchange统计数据显示,由于3D NAND生产能力的增加,企业SSD市场明年竞争更加激烈,2019年NAND闪存芯片价格下降幅度将在25-30%左右。


众所周知,大陆占全球总存储的消耗量 50 %且芯片自制率几乎是零,全数仰赖美国、日本、韩国进口。这就意味着,中国存储芯片迫切需要自力更生。尽管价格崩跌已成趋势,但不能阻挡中国存储芯片发展的决心。


在南京举行的“中国芯片发展高峰论坛 China IC Summit ”上,紫光集团董事长赵伟国指出,中国已有第一支采用自己自主研发芯片所生产的U盘。


紫光集团董事长 赵伟国


紫光位于武汉的 12 寸晶圆厂今年已投入32 层3D NAND 芯片生产,目前以月产能2000 片小量生产,该生产基地规划三座大型 12 寸晶圆厂,合计单月产能上看 30 万片。


不仅如此,2017年2月12日总投资300亿元美元的紫光南京半导体产业基地正式宣布开工,该项目计划将投入3D NAND 芯片生产。


日前,在成都存储器制造基地开工仪式上,赵伟国表示紫光不仅要打破国际巨头在芯片产业上的垄断,更要提升中国芯片产业的整体水平,进而改变全球芯片的产业格局!


自此,紫光分别武汉、南京、成都拥有生产基地,三箭齐发全力扩充储存芯片产能。


2

产能过剩只是短暂现象


由于全球存储芯片价格崩跌之势已现,对于紫光在此时大动作进行扩产,也让外界不禁担心,紫光若启动三大生产基地生产 3D NAND 芯片,会不会演变成长期产业供过于求的危机?


对于眼前 3D NAND 产能过剩,甫从华为离职加入紫光集团担任执行副总裁的楚庆认为,这是短暂现象。因为现有的几家半导体大厂包括三星、东芝都是同步发展 96 层技术,伴随技术突破,一定会有不少产能增加,形成供过于求,但这些新产能很快就会被新增的需求吃掉。


虽然 3D NAND 技术不断往上迭,从 32 层、 64 层迭到 96 层技术,是一年密度增长一倍的速度。但到了 128 层甚至 144 层,技术挑战难度会越来越大,产品不会一直顺利产出,就跟摩尔定律失效是一样的原理。


楚庆表示,无论是从供给面或是技术面来看,未来 NANDFlash 产业前景都非常乐观,今年旗舰级智能手机的存储容量是 256GB ,明年会成长到 512GB ,消耗的存储芯片越来越可观。但3D NAND技术的发展也会遇到不小瓶颈,紫光要奋力追赶。


3

存储芯片一定要自主研发


紫光集团执行副总裁高启全认为,中国发展存储芯片不能再走授权代工的路,一定要技术自主开发,用到别人的专利就付钱,同时也累积自己手上的专利实力,如果最后真的无法成功,那也必须接受事实。


紫光集团执行副总裁 高启全


自主 DRAM 和 3D NAND 技术这条道路,中国才处于萌芽阶段,但已可以感受到前方是荆棘密布。也正因为如此,有人开始质疑,为什么不走捷径,干脆与国际大厂技术授权合作,既可以合法合规的生产芯片,又可免除接连不断的司法威胁?


但醍醐灌顶与饮鸩止渴之间的差别有多大,其实就在于一念之间。根据多位具有丰富存储器产业经验的高层人士表示,大陆万万不可再像台湾一样,走上拿技术授权、帮大厂代工的老路。


回顾台湾 DRAM 过去 20 年的产业发展历程,讲白了就是为美、日、欧等国大厂打了 20 年工,到最后仍是无法拥有自己的技术,只换来“生产成本最低的 DRAM 厂”的称号。但更让人痛心的,是二十年心血一朝付诸东流的现实。


前车之鉴不远,在存储半导体这条路上,再怎么苦,也要坚持技术自主!


4

“板凳要坐十年冷”的心理准备


紫光存储事业未来面临最大的挑战是“市场关”。存储器是一个高投入、高风险、高壁垒的战场,当年三星为了发展内存芯片事业连续忍受13年的亏损,才最终实现盈利。这意味着,紫光发展存储事业的初期也很有可能面临一段长时期的亏损局面。


从当前市场竞争态势来看,东芝与西部数据在2017年经历了长时间的法律诉讼与合资争议之后,已于2017年12月13日达成和解,协议包括双方延展合资关系至2029年,并确保西部数据在Fab6工厂中能够参与投资,确保了西部数据可以继续参与96层以后3D NAND Flash的竞争。东芝随即在12月21日宣布Fab 7的兴建计划。


集邦咨询半导体研究中心表示,观察中国大陆在NAND闪存领域的发展,以紫光集团旗下的长江存储为中国最快成军的开发厂商。由于长江存储开发早期技术力不足,难以与一线大厂相抗衡,预估其初期产品会以卡碟类为大宗。随着长江存储技术发展来到64/96层,才有机会进军SSD市场,但此市场技术竞争相当激烈,短期会难以在成本上取得优势。


“目前在主流存储芯片产品领域,中国完全是空白,在长江存储项目之前,不是缩短差距的问题,原来是零,所以和国际巨头的距离是无限远,我想有五年的时间,我们可以站稳脚跟,再有五年,应该有相当的成就,所以要有‘板凳要坐十年冷’的心理准备和战略耐力。”赵伟国说。


5

三星制霸3D NAND市场


中国闪存市场总经理邰炜表示,目前3D NAND已经是各个原厂主要量产的产品,各主要厂商3D产能的占比方面,三星的3D NAND占总产能的85%、东芝及西部数据占75%、美光也达到了90%、SK Hynix则为60%。


根据 DRAMeXchange 数据,DRAM 市场主要三星、海力士、美光三家厂商占据,三星市占率约为 48%,三星+海力士+美光的市占率高达 90%以上。


今年7月份,存储芯片大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。同时,三星还正式发布了首款LPDDR5内存芯片。可以说,三星在存储领域进一步拉开了与其他竞争对手的差距。


小结:


紫光是中国发展半导体业领头羊之一,但要真的成为全球一线存储器制造商,前方荆棘依然密布。对于紫光集团来说,现在正是全面发力存储芯片的关键时期,当务之急是紫光能否走上自主研发之路和顶住市场压力?


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