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TOSHIBA 东芝半导体

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东芝第8/9代低压UMOS管获“年度功率半导体/驱动器奖”

2018-11-09
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2018年11月8日,一场主题为“全球CEO峰会暨全球电子成就奖”的颁奖典礼在深圳大中华喜来登酒店隆重举行。



作为全球CEO峰会&全球分销与供应链峰会(“双峰会”)一个重要环节,“全球电子成就奖”颁奖典礼云集了业界影响力极大的领袖级人物,旨在表彰在全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者,其最终获奖者由ASPENCORE全球资深编辑组成的评审委员会评选,部分奖项由来自亚、美、欧洲的网站用户群通过网上投票选出。


经历了大半年的提名和评选,“全球电子成就奖”评出了包括编辑推荐奖、企业奖、创新奖品奖在内的所有奖项。其中,在产品奖的名单中,东芝的名字熠熠生辉。



一直奋斗在半导体与存储产品创新领域的东芝,在本次颁奖典礼中凭着第8/9代低压UMOS管从提名产品中成功突围,斩获“年度功率半导体/驱动器”大奖。



东芝第8/9代低压UMOS管有助于提高电源的效率,是专为笔记本电脑适配器、游戏控制台、服务器、台式电脑、平板显示器、无刷直流电机等AC-DC电源的二次侧使用的高效率MOSFET系列,用于通信的DC-DC电源、设备、服务器和数据中心。采用此工艺,可以降低MOSFET的RDS(ON),并能获得良好的温度特性,并获得高效率。



“2018全球CEO峰会暨电子成就奖”颁奖典礼的圆满落幕,意味着全球电子产业创新又向前迈进一大步。在本次荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项的东芝也将继续致力于半导体和存储领域的创新,相信在未来会研发出更多的好产品。






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