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Qorvo半导体

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增强Qorvo 5G领先优势,揭秘行业首款28GHz GaN前端模块

2018-12-14
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Qorvo凭借行业首款 28 Ghz 氮化镓 (GaN) 前端模块 (FEM)——QPF4001 FEM,扩大了其 5G 业务范围。在基站设备制造商涉足 5G 之后,这款新 FEM 可以帮助他们降低总体系统成本。


据 SNS Telecom & IT 介绍,28 GHz 频段是早期基于 5G 的固定无线接入 (FWA) 部署的首选频段,使运营商能够满足 5G 对速度、延迟、可靠性和容量的要求。


QPF4001 FEM 在单个 MMIC 中集成了高线性度 LNA、低损耗发射/接收开关和高增益、高效率多级 PA。针对 5G 基站架构中间隔 28 GHz 的相控阵元件,对紧凑型 5x4 毫米气腔层表贴封装进行了优化。



Qorvo 的新款 GaN FEM 让毫米波相控阵系统变得更小、功能更强大,也更加高效,能够把信号引导到需要更多带宽的区域。本应用采用了 Qorvo 的高效率 0.15 微米 GaN-on-SiC 技术,让用户能够更高效的达到更高的 EIRP 级别,同时最小化阵列尺寸和功耗,从而降低系统成本。


Qorvo IDP事业部总裁 James Klein 说:“Qorvo 利用我们具有悠久历史的毫米波技术,让 5G 成为现实。三十年来,我们一直在解决点对点、卫星通信和国防行业采用的集成电路所面临的功率、尺寸和效率挑战,这些努力促成了如今 Qorvo 的 5G 创新。我们的 GaN 技术被用于进行数十次 5G 现场试验,而这个新模块将进一步减小尺寸和功耗,对于对毫米波频率产生关键影响的超小阵列,这一点至关重要。”


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符合资格的客户现在可索取 QPF4001 FEM 工程样品。
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