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Phison 群联电子

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群联电子荣获2018年「第15届台湾信息储存技术奖项之产业贡献奖」

2018-10-30
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闪存(NAND Flash解决方案领导厂商群联电子(8299)(30)日荣获台湾信息储存技术协会(TaiwanInformation Storage AssociationTISA)所颁发之2018年「第15届台湾信息储存技术奖项之产业贡献奖」。

15届「台湾信息储存技术协会年会暨资储存奖项颁奖典礼」今日于台北召开,TISA蔡定平理事长表示,群联电子于储存产业一再展现其卓越的信息储存半导体芯片设计技术研发实绩,包括有全球首家将USB随身碟商品化的闪存控制芯片厂;并成功开发可用于扩充手持装置之内建闪存容量之高随机读写效能的 SD/microSD 卡、嵌入式eMCP/eMMC/UFS以及SSD等应用产品、开发闪存管理核心电路模块,简化韧体作业流程,增加数据传输效率,减少功耗…等技术发明,并成功开发新一代LDPC+DSP错误更正模块,以达到可支持各国际大厂的3D NAND制程之控制芯片及解决方案。而今群联电子累积的NAND Flash 管理技术 Know-How 提供相关技术专利已取得各国专利权核准数达 1,415件,基于此技术基础,群联电子得以一直维持市场领导者的地位,因此今年度特颁予「第15届台湾信息储存技术奖项之产业贡献奖」。

群联电子潘健成董事长表示,公司成立18年来持续深耕于闪存控制芯片暨解决方案的技术研发,长年累积自有硅智财(IP)及算法研发实力除了在产业内取得客户的认同之外,在此也很感谢以支持储存产业前瞻技术研发为首的TISA予以肯定。于此同时亦恭祝母校(交通大学)终身讲座教授施敏教授荣获「第15届台湾信息储存技术奖项之杰出信息储存奖」。施教授是快闪记忆关键技术「浮闸内存效应」的发现人,群联电子是将闪存技术商品化的企业,很荣幸我们可以共同以闪存的科技技术满足人类生活对海量信息储存的需求,进而在一次次的创新研发中让科技可以为文明社会带来新的应用及便利。

展望未来,随着半导体制程技术迅速演进,闪存技术难度越来越高,所需要的数据纠错(Error Correction)位也越多,与控制芯片业者的配合度要更紧密,群联电子所提供控制芯片的重要技术包括有平均抹写技术 (Wear Leveling) 与坏损区块管理 (Bad Block Management)等将可有效延长 NAND Flash 使用寿命,此外,目前已成功开发先进制程 PCIe G3x4 MIPI PHY 以作为UFS Unipro 闪存控制芯片之主机接口,也将能提供更高效能、更节能之NAND Flash控制芯片,以具备提供相关专利授权。

于群联电子


群联电子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 为全球闪存(NAND Flash控芯片及储存解决方案领导厂商。身为闪存专家,从IP技术授权、芯片设计、系统架构解决方案、系统整合、成品,提供不同需求的客户最佳的产品及服务。在各项产品类别上,包括SSD (PCIe/SATA/PATA)eMMCUFSSD、或是USB接口皆可提供完整的储存解决方案,客户应用亦遍及各类消费性电子、企业级、以及工业车用。在标准制定上,群联电子担任SDAONFIUFSA的董事会成员,并积极贡献JEDECPCI-SIGMIPINVMeIEEE-SA等规范。


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