datasheet

ON Semiconductor 安森美

文章数:310 被阅读:95973

账号入驻

安森美半导体基于SiC的混合IGBT和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出

2019-04-30
    阅读数:

点击“安森美半导体”,关注我们

2019年4月30日— 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。


AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。


该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装,从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650V,能够处理高达100 A@25 °C(50 A@100 °C)的连续电流,以及高达200A的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统,正温度系数令并行工作更简便。

 

现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶,在某些情况下还储存能量,以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器,必须有高的开关效率,以确保转换时不浪费能量。在这种情况下,集成外部SiC二极管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效,因为没有相关的正向或反向恢复损耗。

 

AFGHL50T65SQDC可在高达175°C的结温下工作,适用于包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全符合AEC-Q101认证,进一步证明其适用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) 车载充电机。


NCD(V)57000

除了新的混合IGBT,安森美半导体还将在PCIM推出并展示一系列新的隔离型大电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电源应用,包括太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源系统(UPS)和汽车应用如动力总成和PTC加热器。


NCD(V)57000系列是大电流单通道IGBT驱动器,内置伽伐尼安全隔离设计,以在要求高可靠性的电源应用中提供高能效工作。该器件具有输入互补、漏极开路故障和输出准备就绪、有源米勒钳位、精确欠压锁定(UVLO)、软关断去饱和(DESAT)保护、负门极电压引脚和单独的高、低驱动输出等特点,为系统设计提供灵活性。

 

该器件的伽伐尼隔离额定值大于5 kVrms,满足UL 1577的要求,工作电压高于1200 V,保证8mm爬电距离(输入>输出)以满足强化的安全隔离要求。NCD(V)57000器件可提供7.8A驱动电流和7.1 A汲电流能力,是某些竞争器件的三倍多。更重要的是,它们还具有在米勒平坦区工作时更大的电流能力,同时结合其先进的保护特性,使它们成为同类最佳的IGBT驱动器。


欧洲PCIM 2019

   时间:5月7日至9日

地点:德国纽伦堡

 展位信息:9号馆330号展位



请点击阅读原文,了解更多

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: TI培训

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved