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高压MOSFET第四种技术AccuMOS®产品成功上市,成倍提升行业功率密度

2019-06-19
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5年沉心积累

2019年6月18日

AccuMOS®品正式发布



集成电路是人类信息化发展的支柱产业。2018年全球集成电路总产值约4000亿美元,其中功率半导体产业占到了9%。功率半导体作为集成电路中占比最大的行业应用,随着超级结技术发展到理论极限,而复合物宽禁带功率半导体技术又面临成熟度低、成本高等因素推广困难,如何在现阶段有效突破“功率密度”——这一人类不懈追求目标的技术瓶颈是业界面临的挑战。


派微电子经过5年的持续创新研发投入,2019年6月18日正式发布的AccuMOS®产品,很好地解决了上述难题。


AccuMOS®采用自主研发的“全新电场操纵”技术,首次将摩尔定律引入高压功率场效应管(MOSFET)设计,可将Rsp值(Specific Rdson,单位面积电阻)随设计线宽逐步缩小。本次派微电子发布的AccuMOS®产品功率密度已经达到LDMOS和VDMOS业界最好水平 的2倍以上,并且随着线宽的进一步减少,功率密度有望于2020年超越业界超级结最佳水平,进而推动行业变革。


 AccuMOS®产品的工作原理 


AccuMOS®的工作原理如下图所示:

AccuMOS®架构是在传统的LDMOS架构上叠加了一个IC控制电路。当Gate极上加高电压导通时,IC电路通过电场操纵,在N-Drift区域形成一个比常态高102以上载流子浓度的导通层,从而有效降低MOSFET的Rdson。并且随着设计线宽的降低,IC电路形成的操纵电场会越来越均匀,Rdson也会大幅下降,未来将具有超越超级结技术功率密度的水平。


 AccuMOS®产品的性能优势


AccuMOS®的独创设计,带来产品三大优势。


1.AccuMOS®具有业界最优温升曲线,优于超级结、VDMOS 20%以上


采用归一化处理,假设常温25℃时, AccuMOS®、超级结、VDMOS的Rdson是1,那么在工作温度125℃时,AccuMOS®比超级结、VDMOS 的Rdson要低20%以上,具有业界最佳温升性能。


2.AccuMOS®具有业界最佳EMI性能,比超级结、VDMOS低5db以上



AccuMOS®的背面为Source极,直接与金属散热片接触,可将导热系数提高一个数量级,同时维持较低的EMI辐射水平。实际测试结果表明,AccuMOS®的EMI性能比超级结、VDMOS低5db以上。


3.AccuMOS®与控制器IC采用同一工艺平台,可提供单一芯片解决方案



派微电子在推出AccuMOS®产品的同时,同步开发了电源控制IC电路设计所需要的各种低压元器件,提供PDK设计包。IC设计合作伙伴,可以基于AccuMOS®平台,向客户可提供单一芯片解决方案。


AccuMOS®产品的产品系列


AccuMOS®本次发布的产品,覆盖了60W以下,500-800V的MOSFET领域。



AccuMOS®产品的应用领域


AccuMOS®产品可广泛应用于充电器、LED驱动电源、适配器、智能家电、充电桩和通信电源等领域。



派微电子团队秉承“创新拼搏,成事为乐”的企业文化,期待与您的深入合作。期望本次发布的AccuMOS®产品,能为电源行业的发展注入新的动力。



  砥砺前行  


派微电子一路走来,

获得了诸多业内好友的支持、鼓励与帮助,

值此产品发布之际,

亦收获了满满的祝福与寄语,

感恩,感谢!



派微电子(深圳)有限公司

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