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SEMI:明年DRAM资本支出将暴减23%

2018-12-19
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来源:内容来自「MoneyDJ」,谢谢。


国际半导体产业协会(SEMI)今(18)日指出,今(2018)年全球晶圆厂设备投资金额将由8 月时预测的成长14%、下修至成长10%,明(2019)年投资金额将从原先预测的成长7%、下修至衰退8%;记忆体价格下跌和美中贸易战的影响使公司改变投资计划,为晶圆厂资本投资快速下滑的两大主因。


SEMI 公布「全球晶圆厂预测报告」指出,甫进入2018 年时,原预估全球半导体晶圆厂设备市场将延续罕见的4 年连续成长、直至明年,但今年8 月时SEMI 综合收集分析全球超过 400 间晶圆厂主要投资计划后,预估今年下半年到明年上半年,晶圆厂投资金额将呈下滑态势;然而,有鉴于近期的市场情势,下滑幅度恐将较原先的预期更剧烈;预估今年下半年及明年上半年晶圆设备销售金额将分别下滑13 和16 个百分点,直到明年下半年才可望出现转圜。


SEMI台湾区总裁曹世纶分析,记忆体价格下跌和美中贸易战导致公司投资计划改变,是晶圆厂资本投资快速下滑的两大主因,其中,以先进记忆体制造商、中国晶圆厂、28 奈米或以上成熟制程业者的资本支出缩减,对全球半导体设备市场的影响最大。


在记忆体部分,SEMI进一步指出,继今年年初NAND型快闪记忆体价格急速下滑后,动态随机存取记忆体( DRAM )价格也在第四季出现松动,连续两年的DRAM盛世恐将结束,而存货调整和中央处理器 ( CPU )的产量不足,将导致更剧烈的价格下滑。记忆体业者为快速反应市场情况而减少资本支出,暂缓已经订购的设备出货,预期NAND快闪记忆体相关投资甚至将出现两位数的衰退。


SEMI也修正了先前对记忆体资本支出成长3%的预测,预估明年整体记忆体资本支出将下滑19%,其中以DRAM下滑最剧烈,下滑幅度达23%,至于在3D NAND部分则将下滑13%。SEMI并指出,以地区来看,中国大陆和韩国是晶圆厂设备投资金额下滑幅度最大的两个地区。


不过,SEMI也表示,虽然大部分的记忆体厂皆计划减少资本投资,但美光为例外。明年美光预估将投资约105亿美元,较今年的82亿美元投资金额提高约28%,这笔投资主要用于扩张和升级既有厂房设施。


业界人士分析,整体全球半导体景气已自今年第3季高峰急转直下,三星最赚钱的记忆体需求也受到影响,并从第3季起紧急削减资本支出,其中记忆体减幅高达27%,且明年也可能延续保守的资本支出心态。台系DRAM大厂南亚科也宣布今年资本支出由原订240亿元,降至210亿元,降幅超过一成。


半导体设备厂强调,除了三星、南亚科外,SK海力士与美光的DRAM增产脚步也趋缓,这些厂商都是这两年半导体设备主要买家。从削减资本支出的动作来看,各厂似乎都担心美中贸易战干扰市场买气,藉由缩减资本支出,减缓DRAM与NAND Flash的跌势。


台积也下修今年资本支出为100亿到105亿美元,比原订的115亿至120亿美元,减少约一成;但台积电之前也在供应链管理论坛表示,未来几年的资本支出,仍会落在100亿至120亿美元。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1801期内容,欢迎关注。

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