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使用MRAM取代DRAM,IBM迈出重要一步

2018-12-03
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来源:内容由SSDFans翻译自「DIGITIMES」,谢谢。


在IBM新一代的FlashSystem存储设备中,将利用磁阻RAM(MRAM)来做写缓存,而不再使用传统的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一,但与NAND闪存或英特尔的3D XPoint存储设备相比,它的密度严重受限。 到目前为止,MRAM大多都应用在嵌入式系统中,MRAM可以取代小型闪存芯片或电池供电的DRAM和SRAM缓存。


Everspin是目前唯一的MRAM芯片供应商,其目前可用的256Mb芯片和1Gb芯片将在今年年底前提供样品,从而推动产能提升。他们不再在飞思卡尔提供的晶圆上自己制造,而是与GlobalFoundries来进行合作,以便在他们的22nm FD-SOI工艺上制造MRAM。容量的增加使得MRAM在大数据处理系统中更具有吸引力,尽管目前它们的容量仍然太小而不能用作主存存储器。


IBM现有的FlashSystem设备使用自定义外形尺寸和系统级别的掉电保护设计,以及基于FPGA的控制器。 新系统切换到标准的2.5“U.2尺寸,这需要在每个设备级别实现掉电保护。IBM发现使用足够大的超级电容以保持FPGA控制器能够运行足够长时间以刷新写缓存的DRAM是不切实际的。但MRAM固有的非易失性可以解决对超级电容的需求。



用于IBM FlashSystem的新SSD具有64层 3D TLC NAND闪存,可用存储容量高达19.2TB,使其成为密度最高的基于TLC的SSD之一。 这些SSD使用20通道NAND接口和4通道PCIe 4.0主机接口,可以在双端口2 + 2模式下运行。 IBM的控制器还提供可选的透明压缩,具有典型的3:1压缩比和符合FIPS 140标准的加密。 


*点击文末阅读原文,可阅读英文原文。


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