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10纳米DRAM制程竞争升温,SK海力士、美光加速追赶三星

2018-11-10
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来源:内容来自「DIGITIMES」,谢谢。

10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温,三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y)制程DRAM,目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度,追赶三星,预计2019年起将陆续展开第二代10纳米(1y)制程DRAM量产。


据韩媒News 1的报导,SK海力士预计2018年底前,完成第二代10纳米(1y)制程开发,2019年起投入1y纳米制程DRAM量产。目前SK海力士大陆无锡厂,正在进行无尘室扩建工程,预计2018年底完工后,就可开始建立1y纳米制程量产体系。


SK海力士从2018年起正式投入第一代10纳米(1x)制程量产,上半年1x纳米DRAM制程比重占所有DRAM产品的20%以上。业界认为SK海力士10纳米级DRAM制程比重,在2019年的比重将超过半数。


美光也传出将从2018年底左右导入1y纳米制程量产。美光2018年初已开始量产1x纳米制程DRAM,年底可望进入1y纳米制程初步生产阶段,2019年正式量产1y纳米制程DRAM,2020年计划进入1z纳米制程。


业界认为,从20纳米进入1x制程已相当不容易,接下来的10纳米级1y及1z制程就更为困难,如何在转换至更先进制程的同时确保量产效率,成为关键。


面对SK海力士及美光在10纳米级DRAM制程上的全速追赶,DRAM龙头三星,正全力拉大与追兵的领先差距。2017年11月三星率先宣布量产1y纳米制程的服务器DRAM,2018年7月又将1y纳米制程用于Mobile DRAM。


三星相关人士表示,2018年底三星10纳米级DRAM产品比重,将占全体DRAM产品的70%以上,以投入晶圆为基准,目前10纳米1x制程比重已经超过一半,三星掌握市场主导权,领先竞争对手1年左右,预计2019年可完成第三代10纳米(1z)制程开发。


此外,10纳米以下的次世代DRAM,三星计划导入极紫外光(EUV)设备制程。稍早2018年2月起,三星平泽厂,已开始着手建立EUV专用生产线,以目前施工进度来看,最快2019年上半,就可陆续移入生产设备,并且可望于2019下半年或2020年初进入试产阶段。


另一方面,DRAM市场最近不断传出负面看法,加上中贸易战不断扩大战火,DRAM市场前景笼罩不安,再加上Q4是传统的淡季,未来价格持续走跌的可能性相当大。此外,三星及SK海力士也曾预测,认为2018年Q4至2019上半年,DRAM市场需求的成长走势将出现钝化。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1762期内容,欢迎关注。


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