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台积电强推新堆叠技术,让同体积芯片性能增加两倍

2018-10-19
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来源:内容来自「CTimes」,谢谢。


近期,台积电(TSMC)开始多次提到它的一个新技术-「系统整合单芯片(System-on-Integrated-Chips;SoIC)」,而在今天的法说会上,更具体的提出量产的时间,预计在2021年,台积电的SoIC技术就将进行量产。


究竟什么是SoIC?根据台积电在之前的技术论坛上的说明,所谓SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术,能对10纳米以下的制程进行晶圆级的接合技术。该技术没有突起的键合结构,因此有更佳运作的性能。


所以从描述上来看,它就是一种晶圆对晶圆(Wafer-on-wafer)的接合(bonding)技术,目前台积电也正在EDA工具商就此进行合作,推出此制程技术的设计与验证工具。


更具体的说,它可能是一种3D IC制程的技术,也就是台积电可能已具备直接位客户生产3D IC的能力。此技术不仅可以持续维持摩尔定律,也可望进一步突破单一芯片运行效能。


该技术的发展关键就在于达到没有凸起的接合结构,因此它非常可能是采用硅导孔(Through-silicon Vias;TSV)技术,直接透过极微小的孔隙来沟通多层的芯片。


但令人更惊艳的是,台积电的SoIC技术能使用在10纳米以下的制程,这意味着未来的芯片能在接近相同的体积里,增加双倍以上的性能。因此连台积电自己都非常看好这项制程技术。


台积电进攻封装,威胁OSAT?


台积电因应苹果新世代处理器制程推动至7纳米,决定同步扩大后段扇出型封装(InFO)产能,并且从龙潭延伸至中科,产能将再扩增一倍,恐对后段封测厂日月光、硅品营运相对不利。


台积电供应链指出,台积电原位于中科的台积太阳能厂,两年多前结束营运后,台积电决定利用原厂址发展InFO封测业务,相关投资计画已获科技部科学园区投资审议委员会审核通过,正全力展开装机作业,台积电也证实,确实打算再扩充后段封测产能,相关投资金额已列入今年资本支出,实际投资金额不便透露,但会比去年多。


台积电的InFO高阶封装,完全是配合主要客户苹果。2016年台积电买下高通龙潭厂,就是提供整体晶圆服务,从制造到后段晶圆封装,随台积电独家承揽苹果A10及A11处理器,台积电位于龙潭的封装厂已全数满载,台积电又完封装三星,独揽苹果次世代A12或称A11x处理器,在晶圆数需求大增下,台积除扩充龙潭厂外,也决定于中科再扩增InFO后段高阶封测产能。


台积电供应链传出,台积电近期已大举购买后段封装机台设备,预计增加龙潭厂月产能从10万片到13万片,并于上季量产。


台积电在后段先进封装的扩产,也从龙潭延伸到中科,目前正就紧邻量产10纳米重镇15厂区旁的原台积太阳能厂增加InFO新厂,整体产能可望倍增,龙潭二期用地可望是台积电未来扩厂的新选择。


业界表示,台积电大扩产InFO的动作,显示InFO将不会委外,全部自己生产,客户预期将会增加,营收贡献也可望提高,对日月光等封测厂恐有不利影响;相对的,相关设备与材料等供应商受惠。


台积电去年第4季已开始进行7纳米试产,上季正式量产,部光罩制程采用极紫外光(EUV)技术的7+(7纳米强化版)预定明年进入量产。至于5纳米部份,目前规划2019年下半年开始试产,2020年进入量产。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1741期内容,欢迎关注。


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