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南亚科:DRAM需求保守,将下调资本支出

2018-10-17
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来源:内容来自「钜亨网」,谢谢。


DRAM大厂南亚科今昨日公布第3季财报,展望后市,南亚科总经理李培瑛不讳言,第4季DRAM需求相对前半年保守,预期单季平均销售单价可能下滑5%左右,PC需求为目前唯一表现趋缓的应用,且由于第3季DRAM供应商增加投片量,南亚科已下修今年资本支出逾1成,明年仍得视国际局势变化,预期价格将在合理范围内缓跌。


展望第4 季,李培瑛表示,受到美中贸易战与CPU 短缺影响,第4 季DRAM 需求相对前半年保守,目前现货市场已走跌,预期第4 季平均销售单价可能微幅下滑、约在5 % 上下,惟贸易战规模与延续时程尚未确定,DRAM 市场长期走势仍须密切观察。


不过,李培瑛强调,南亚科致力使产品组合多元化,这是最关键的执行方针,将努力维持毛利率跟营益率,且若能将产品线最佳化,就有机会维持相对较高的平均售价。


从各应用别需求来看,李培瑛指出,目前手机与伺服器市场健康,手机部分,双镜头已成主流,后续以多镜头为主,手机产品差异化主要倚赖记忆体规格升级,目前Android 旗舰机种主流记忆体容量为6GB-8GB,苹果OLED 新机种则导入4GB。


伺服器部分,李培瑛表示,伺服器记忆体为所有市场区块中,成长力道最大的,云端服务与各产业对伺服器需求持续发酵,中国伺服器需求年增23%,北美四大资料中心需求稳定成长,全球伺服器年增率约11%,平均记忆体容量持续增加,预期伺服器用记忆体总需求年增超过3 成。


南亚科8Gb DDR4 伺服器产品近期已获美系资料中心大厂验证通过,第4 季将推出LPDDR4/4X 产品线并小量出货,李培瑛表示,南亚科今年又再度取得验证,重回伺服器市场,盼能在伺服器市场持续推进。


消费型电子产品部分,李培瑛指出,电视与机上盒、智慧音箱与SSD 仍为重点市场区块,新一代智慧手表提供心电图功能,预期将带动未来穿戴装置的成长,应用持续增加中,表现也不差。


至于PC 则是唯一表现趋缓的,李培瑛表示,PC DRAM 有些供过于求的情况,除受到CPU 缺货影响外,现货市场也受到次级品流窜影响需求,预期短期内有跌价压力。


供给方面,由于第3 季DRAM 供应商增加投片量,将逐步影响第4 季至明年第1 季的市场供给。李培瑛表示,第4 季起南亚科将延缓产能扩充与资本支出,南亚科已下修今年资本支出,由原先的近240 亿元下调至210 亿元,调幅逾1 成,减缓整体扩产幅度,投片则视产品组合。


展望明年,李培瑛认为,整个DRAM 发展对全球产品智慧化是相当关键的零组件,若以市场智慧化需求来看,对DRAM 需求并没有看未太悲观,主要仍得观察国际局势变化与季节性因素;而由于供应商新产能扩充较理性,预期明年不会有急遽或剧烈的价格波动问题,将在合理的范围内出现价格缓跌情况,但会缓跌一季或两季,目前仍看不出来。


李培瑛表示,明年DRAM需求仍不悲观,供应商端也理性控制产出,不认为明年在报价上会有剧烈的波动,中美贸易战之国际局势将是影响市场的最大关键因素。


李培瑛分析,全球电子产品走向智慧化,记忆体是最关键的零组件,需求面没有太悲观。供给方面,DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化,尚不会有急遽跌价的问题,明年DRAM价格预计出现合理的调整,估计会持续缓跌一季或者二季。


南亚科总经理李培瑛指出,受到美中贸易关数以及处理器缺短影响,第4季DRAM需求相对今年上半年保守,且贸易战规模以及延续的时间有多长,需要密切观察。


李培瑛说,明年市场关键在国际局势,贸易战是未知数,尤其在关税部分,在中国大陆的组装厂客户会直接或间接受到影响,需采取一些因应对策,但要将组装产线移到其他国家则需要一点时间。


IC Insights:DRAM 产能过剩警报响起,中国厂商带来变数


在早前,IC insights也发出了同样的警告。


IC Insights在本月初发布的《The McClean Report》9月更新指出,从历史的角度来看,DRAM平均售价与市场成长将很快趋于下行,供应商应谨慎因应,并随时准备调整资本支出扩张计划。


IC Insights 最新《The McClean Report》9 月更新显示,在过去两年中,DRAM 制造商一直在以接近满载状态运行记忆体晶圆厂,这导致DRAM 价格稳步上升,并为供应商带来可观的利润。


IC Insights指出DRAM产业去年资本支出跳增81%,今年持续攀升40%,在此状况下,预料未来供给将淹没市场,为价格趋缓的先期指标之一。


不过与以往不稍有不同的是,这次资本支出成长幅度虽然高,但预期产能过剩风险可能不像以往严重,因为目前各大厂升级20 纳米制程的成本增加许多,意谓着同样的资本投入所换得的产能将比前几代制程少。


每月DRAM 平均售价增长趋势。(图:IC Insights)


上图可见,虽然2018年8月DRAM的平均销售价格(ASP)达到6.79 美元,相较于2年前增长165%。尽管今年价格增速放缓,但8月前仍保持稳健上行的趋势。


DRAM 市场以周期性而闻名,在经历了两年的强劲增长之后,DRAM 平均售价和市场需求很快将开始向下趋势。


IC Insights 分析,最近供应商资本支出增加虽然非比寻常,但可能不会像过去一样产生类似的产能过剩情况。


DRAM 资本支出与平均售价比较图。(图:IC Insights)


该报告预测(上图),2018年DRAM平均售价将上涨38%至6.65 美元,但随着额外产能上线,供应限制开始放缓,将会降温DRAM市场成长。


该报告中特别提到,由于预期客户需求疲软,三星和SK 海力士于第3 季推迟部分扩张计划。值得注意的是,中国大陆有合肥长鑫(Innotron Memory)、福建晋华(JHICC)等两家记忆体厂预料今年加入供给,将为记忆体市场带来不可知的变数。在合肥长鑫方面,兆易创新与合肥产投签署合作协议,开展工艺制程19nm的12英寸DRAM的研发工作,该项目预算约为180亿人民币,已正式投片,有券商预计其将在2018年底实现产品良率不低于10%。来到福建晋华,他们与联电开展技术合作,投资56.5亿美元,正在建设12存DRAM生产线。晋华集成电路已纳入中国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。


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