采用LT5560为WiMAX应用提供上变频转换

2007-03-09 19:03:27来源: 互联网
适合多种应用的低功率、高性能有源混频器具有低功耗和4GHz的工作频率,使WiMAX系统可以在3.3~3.8GHz的频率范围内进行频率转换. LT5560是一种双平衡有源混频器,是采用第二代高频双极型工艺制造的,因此具有大带宽和非常低的功耗。所有信号端口都可以在从几乎是DC直到4GHz的频率范围内工作,为上变频和下变频应用提供了方便。在恰当匹配的情况下,可以低成本、低功耗和高性能地实现2.5~2.7GHz频带的上变频转换以及到3.3~3.8GHz WiMAX工作频率的上变频转换。与转换损耗为几个dB且需要高LO驱动电平的大多数无源混频器不同,这种新型有源混频器不仅提供转换增益,同时只需要-2dBm的LO信号功率。该混频器的内核可用单电源工作,适合从2.7~5.3V的不同电压。使能电路提供快速和简单的接通与断开操作,以满足大多数TDD的要求。LT5560的典型停机电流低于1μA,采用3mm%26;#215;3mm的8引线DFN封装以及底面接地。 IN、OUT和LO端口都是差分端口,以实现最优性能。IN和OUT端口必须以差分方式使用,但是LO端口可以用单端信号驱动,未用的LO引脚通过一个电容器连接到地。 LT5560可适用于上变频和下变频转换,图1所示电路是一个实用的上变频转换应用。该电路已经为450MHz IF输入频率和3.3~3.8GHz的RF输出频率进行了微调。LO端口为2.85~3.35GHz的频率进行了微调。 在450MHz频率上,输入端口(IN+、IN-)的差分阻抗大约为28.6+j4.9Ω。由电路板布局和T1引起的寄生电抗将这个阻抗变换为大约50Ω+j60Ω。电容器C11提供DC隔离,并通过消除阻抗的虚部改善了阻抗匹配。变压器T1具有1:1的阻抗比,为输入信号提供单端到差分的转换。 该混频器的信号输入引脚需要一个到地的直流通路,这由电阻R1提供。在本应用中,0Ω电阻用来让LT5560以最大的电源电流工作,以提供最高增益和最佳OIP3性能。增加R1的电阻值可以降低电源电流,但是这样做的代价是降低了线性度和转换增益。 在RF输出端口,电感器L6用来消除LT5560的内部电容。多层芯片平衡转换器T2为RF输出信号提供差分至单端的转换。T2还进行一个2:1阻抗变换。 为方便起见,LT5560的LO输入端口可以用单端信号驱动。就上变频应用而言,推荐将信号加到LO-输入端(如图1所示),以最大限度地减小泄漏到输出中的LO信号。 图1 3.3~3.8GHz上变频混频器应用原理图 LO引脚由内部基准偏置,而且必须是交流藕合的。电容器C3为LO-提供所需的直流隔离,而C7用来改善阻抗匹配。电容器C5在LO+引脚上提供直流隔离,并通过谐振消除封装的寄生电感,以建立良好的高频地。该电容器应该放置在靠近LT5560封装的地方,以获得最佳性能。 就本应用而言,所测试端口的回损如图2所示。IF端口的回损表明,在375~550MHz范围内阻抗匹配良好。RF输出端口在3.25~4GHz多的范围内匹配良好,而LO端口的回损在2.7~3.4GHz范围内优于10dB。 图2 IF、RF和LO端口回损 测试电路由3V电源供电,测得的直流电流为13.6mA。该电路的输入信号电平为每频率-20dBm,应用的LO功率为 -2dBm。转换增益、OIP3和SSB噪声指数与LO输入功率的变化如图3所示。 图3 转换增益、OIP3和SSB噪声指数与LO输入功率的变化 在图3中,转换增益、OIP3和SSB噪声指数是RF输出频率的函数。在这个频带内,转换增益在大约0.2~0.6dB的范围内变化,而SSB噪声指数的变化范围为11.5~12.1dB。OIP3从3.3GHz上的12.6dBm逐步降低到3.8GHz上的11.3dBm。 图4 转换增益、OIP3和SSB噪声指数与LO输入功率的变化 在图4中,3.6GHz频率上的转换增益、OIP3和SSB噪声指数是LO输入功率的函数。LO输入功率的理想范围为 -4~+1dBm,不过噪声指数在这个范围的较高端比较好。增益(TA=25℃时)是正的,并在LO功率超过-4dBm时,随着LO功率的提高而逐步提高。这个理想工作范围较高端的性能由OIP3决定,OIP3在超过+1dBm后开始下降。 所测得的结果显示,在3.3~3.8GHz频率范围内,LT5560可组成性能优异的上变频混频器。

关键字:采用  应用  提供  转换

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/wxmn/200703/427.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
采用
应用
提供
转换

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved