单片弛张振荡器的温度补偿方法

2007-03-09 19:03:27来源: 互联网
摘要:介绍单片弛张振荡器的工作原理,分析弛张振荡器产生输出频率误差的原因及温度对输出频率的影响,推导出振荡器达到零温度系数的条件,提出一种弛张振荡器内温度补偿方法,只要在设计电压基准源的温度系数时结合振荡器的需要来考虑,利用该方法就可以使弛张振荡器方便地获得较好的温度系数,大大缩小面积和降低成本。最后给出仿真波形。 关键词:弛张振荡器;延时;温度补偿;单片集成电路 中图分类号:TN753.8 文献标识码:A 文章编号:1006-6977(2006)01-0032-03 1 引言 弛张充放电振荡器在PWM电源电容传感器中都得到了广泛的应用,也常常作为时钟产生电路用在单片功率集成电路中。但是,由于这种振荡器结构的特殊性,一般的弛张振荡器输出频率受环境温度的变化影响较大,温度性能较差。为了获得较好的温度性能,一般都要采用恒温槽等措施,但增大了体积和成本。为此,本文提出一种适用于这种结构振荡器的片内温度补偿方案,可以简单方便地获得更好的温度性能。 [b]2 弛张振荡器的工作原理 [/b] 弛张振荡器的一般结构如图1所示。弛张振荡器的工作过程如下:先用一个电流源I1向电容器C充电,这时电容器上的电压会不断上升,将电容器上的电压通过比较器与设定的阈值电压相比较。当电容器上的电压高于电位比较器的阈值电压V2时,控制部分将会控制开关动作,使I1断开,I2导通,电容器开始通过I2放电,电容器的电压开始下降,设此时的时刻为t2。当电容器的电压下降到低于低位比较器的阈值电压V1时,控制部分再次使开关动作,使I1导通,I2断开,I1又重新对电容器充电,设此时的时刻为t1。这样不停反复就可以在电容器上输出连续不断的振荡波形。 如果保持IC、C不变,则由(4)式看出电容器的充放电时间是由电容器电压的幅度唯一决定的。可通过调节2个比较器的阈值电压来调节电容器的电压幅度,从而可方便地调节振荡器的输出频率。以上分析在各个电路无时延的条件下获得的。 3 温度对输出电压频率的影响 3.1 产生频率误差的原因 任何电路结构都存在不同程度的延时。在这种结构的振荡器中,比较器和控制部分也存在一定的延时,虽然可以采用高速比较器和尽可能简单的控制结构来减少延时,但是始终无法消除延时带来的影响。因此,当电容器上的电压已经上升或下降到需要开关动作时,由于比较器和控制部分的延时Δτ使得开关往往要经过一段时间后才会动作,而在这段时间内,I1(I2)还在继续对电容器充电(放电),因此输出电压与Uc相比会产生误差(ICΔτ)/C,此时, 可以看出输出电压频率与设计值产生了偏差。 3.2 温度对输出频率的影响 显然,在不同温度条件下比较器和控制部分的延时是不一样的。由于主要考察延时对输出频率的影响,因此设在不同温度条件下IC和C保持不变,在温度T1时,比较器和控制部分产生的延时为Δτ1,在温度T2时产生的延时为Δτ2。则(5)式和(7)式可写为 从(8)式可以看出,在不同的温度条件下电容器的充放电时间发生了的变化Δt,从而导致输出电压的频率随温度而变化。 图2给出在没有温度补偿的情况下,采用CSMC 0.6μm双层金属、双层多晶硅工艺下和使用Hspice仿真出来的振荡器输出波形。其中,取IC为250μA,C为5pE,比较器采用的是参考文献[2]中介绍的高速比较器方案,低位比较器的阈值电压为2.4V,高位比较器的阈值电压为2.5V。图中T1、T2、T3分别为-40℃、27℃、85℃时的输出波形。把振荡器27℃时的输出频率设计为20MHz,测出此时振荡器的温度系数约为1 685ppm/℃。图3中的曲线1给出近似的输出电压幅度与温度的关系,正如上面所推导的一样,在不同的温度条件下输出的电压幅度并不相等。 [b]4 温度补偿的实现 [/b] 为了消除温度对输出频率的影响,从(12)式可以看出还必须使Δt=0。为了实现上述要求,令T1时的V2=V’ 2;T2时的V2=V”2,V1保持不变,则(9)、(11)式改写为(13)式或(17)式: 从(17)式可以看出,为了消除温度对输出频率的影响,可以使电容电压在不同温度条件下取不同的电容值来实现。只要它们能满足(17)式的条件,就可以得到零温度系数的输出频率。在振荡器中,电容器电压是由比较器的阈值电压控制的,可以通过调节比较器的阈值电压来满足要求。在芯片设计中,比较器的阈值电压一般由基准源提供。基准源往往根据带隙原理来调整它的温度系数。一般会尽量调节使其具有零温度系数。但从需要出发,也可以把它调试成所需的非零温度系数。因此,可使令低位比较器的阈值电压不变,只调节高位比较器的阈值电压使其具有负温度的系数,这样,随着温度的增大UC不断降低,输出的频率较为恒定。在图3中,为了研究的方便,使输出电压与温度的关系近似为直线1。根据上述推导,以振荡器输出电压的中间值为轴,曲线1水平翻转,得到的曲线3为基准源的输出幅度曲线,从而可获得整个温度范围内的最好温度补偿效果。此时需要把基准源的温度系数调节到大约1 319ppm/℃。 图4示出按上述方法进行温度补偿的振荡器的输出波形。由于使输出电压幅度与温度的关系近似线性化,因此与实际输出曲线存在一定的误差,仍旧无法得到零温度系数的输出波形。为了仿真的方便,把比较器的阈值电压外接,人为地按照上述要求调节高位比较器的阈值电压。图4中,T1、T2、T3分别为-40℃、27℃、85℃时的输出波形。可以看出输出电压的幅度随着温度的变化而大大减小,此时仍把27℃时的输出频率设计为20MHz,测出此时振荡器的温度系数为115ppm/℃。比起没有温度补偿的温度系数有了很大的提高。 5 结束语 针对一般弛张振荡器温度系数较差的缺点,提出了一种新的片内温度补偿方案。只要在设计基准源的时候结合振荡器的要求来确定它的温度系数,就可以方便地使振荡器获得较好的温度性能,同时并不增加它的面积和成本,具有较大的实用性。

关键字:单片

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/qtjs/200703/474.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
单片

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved