光电隔离抗干扰技术及应用

2006-11-20 14:17:19来源: 现代电子技术
在实际的电子电路系统中,不可避免地存在各种各样的干扰信号,若电路的抗干扰能力差将导致测量、控制准确性的降低,产生误动作,从而带来破坏性的后果。因此,若硬件上采用一些设计技术,破坏干扰信号进入测控系统的途径,可有效地提高系统的抗干扰能力。事实证明,采用隔离技术是一种简便且行之有效的方法。隔离技术是破坏"地"干扰途径的抗干扰方法,硬件上常用光电耦合器件实现电→光→电的隔离,他能有效地破坏干扰源的进入,可靠地实现信号的隔离,并易构成各种功能状态。

1 光电耦合器件简介

光电耦合器件是把发光器件(如发光二极管)和光敏器件(如光敏三极管)组装在一起,通过光线实现耦合构成电一光和光一电的转换器件。图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。

当电信号送人光电耦合器的输入端时,发光二极管通过电流而发光,光敏元件受到光照后产生电流,CE导通;当输入端无信号,发光二极管不亮,光敏三极管截止,CE不通。对于数字量,当输人为低电子"0"时,光敏三极管截止,输出为高电平"1";当输人为高电平"1"时,光敏三极管饱和导通,输出为低电平"0"。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好,价格便宜,因而应用广泛。

光电耦合器之所以在传输信号的同时能有效地抑制尖脉冲和各种噪声干扰,使通道上的信号噪声比大为提高,主要有以下几方面的原因: (1)光电耦合器的输入阻抗很小,只有几百欧姆,而干扰源的阻抗较大,通常为105~106Ω。据分压原理可知,即使干扰电压的幅度较大,但馈送到光电耦合器输入端的噪声电压会很小,只能形成很微弱的电流,由于没有足够的能量而不能使二极管发光,从而被抑制掉了。

(2)光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系,也没有共地;之间的分布电容极小,而绝缘电阻又很大,因此回路一边的各种干扰噪声都很难通过光电耦合器馈送到另一边去,避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。

(3)光电耦合器可起到很好的安全保障作用,即使当外部设备出现故障,甚至输入信号线短接时,也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。

(4)光电耦合器的响应速度极快,其响应延迟时间只有10μs左右,适于对响应速度要求很高的场合。

2 光电隔离技术的应用

2.1 微机接口电路中的光电隔离

微机有多个输入端口,接收来自远处现场设备传来的状态信号,微机对这些信号处理后,输出各种控制信号去执行相应的操作。在现场环境较恶劣时,会存在较大的噪声干扰,若这些干扰随输入信号一起进入微机系统,会使控制准确性降低,产生误动作。因而,可在微机的输入和输出端,用光耦作接口,对信号及噪声进行隔离。典型的光电耦合电路如图2所示。

该电路主要应用在"A/D转换器"的数字信号输出,及由CPU发出的对前向通道的控制信号与模拟电路的接口处,从而实现在不同系统间信号通路相联的同时,在电气通路上相互隔离,并在此基础上实现将模拟电路和数宇电路相互隔离,起到抑制交叉串扰的作用。

对于线性模拟电路通道,要求光电耦合器必须具有能够进行线性变换和传输的特性,或选择对管,采用互补电路以提高线性度,或用V/P变换后再用数字光耦进行隔离。

2.2 功率驱动电路中的光电隔离

在微机控制系统中,大量应用的是开关量的控制,这些开关量一般经过微机的I/O输出,而I/O的驱动能力有限,一般不足以驱动一些点磁执行器件,需加接驱动接口电路,为避免微机受到干扰,须采取隔离措施。如晶闸管所在的主电路一般是交流强电回路,电压较高,电流较大,不易与微机直接相连,可应用光耦合器将微机控制信号与晶闸管触发电路进行隔离电路实例如图3所示。

在马达控制电路中,也可采用光耦来把控制电路和马达高压电路隔离开。马达靠MOSFET或IGBT功率管提供驱动电流,功率管的开关控制信号和大功率管之间需隔离放大级。在光耦隔离级一放大器级一大功率管的连接形式中,要求光耦具有高输出电压、高速和高共模抑制。

2.3 远距离的隔离传送

在计算机应用系统中,由于测控系统与被测和被控设备之间不可避免地要进行长线传输,信号在传输过程中很易受到干扰,导致传输信号发生畸变或失真,另外,在通过较长电缆连接的相距较远的设备之间,常因设备间的地线电位差,导致地环路电流,对电路形成差模干扰电压。为确保长线传输的可靠性,可采用光电耦合隔离措施,将2个电路的电气连接隔开,切断可能形成的环路,使他们相互独立,提高电路系统的抗干扰性能。若传输线较长,现场干扰严重,可通过两级光电耦合器将长线完全"浮置"起来,如图4所示。

长线的"浮置"去掉了长线两端间的公共地线,不但有效消除了各电路的电流经公共地线时所产生噪声电压形成相互窜扰,而且也有效地解决了长线驱动和阻抗匹配问题;同时,受控设备短路时,还能保护系统不受损害。

2.4 过零检测电路中的光电隔离

零交叉,即过零检测,指交流电压过零点被自动检测进而产生驱动信号,使电子开关在此时刻开始开通。现代的零交叉技术已与光电耦合技术相结合。图5为一种单片机数控交流调压器中可使用的过零检测电路。

220V交流电压经电阻R1限流后直接加到2个反向并联的光电耦合器GD1,GD2的输入端。在交流电源的正负半周,GD1和GD2分别导通,U0输出低电平,在交流电源正弦波过零的瞬间,GD1和GD2均不导通,U0输出高电平。该脉冲信号经非门整形后作为单片机的中断请求信号和可控硅的过零同步信号。

3 注意事项

(1) 在光电耦合器的输入部分和输出部分必须分别采用独立的电源,若两端共用一个电源,则光电耦合器的隔离作用将失去意义。

(2) 当用光电耦合起来隔离输入输出通道室,必须对所有的信号(包括数字量信号、控制量信号、状态信号)全部隔离,使得被隔离的两边没有任何电气上的联系,否则这种隔离是没有意义的。

关键字:隔离  耦合  二极管

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/qtjs/200611/561.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
隔离
耦合
二极管

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved