海士力要哭了!三星将量产最强64层3D NAND闪存芯片

2017-04-13 16:48:56来源: EEWORLD 关键字:海士力  三星  3D  NAND

前几日,SK海力士正式宣布量产最强72层3D NAND闪存颗粒,一时间震撼全行业。可近日,韩国媒体给出的报道称,三星将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。下面就随模拟电子一起来了解一下相关内容吧。

 前几日,SK海力士正式宣布量产最强72层3D NAND闪存颗粒,一时间震撼全行业。

海士力要哭了!三星将量产最强64层3D NAND闪存芯片

可近日,韩国媒体给出的报道称,三星将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。这是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米,而在这里三星量产第四代3D NAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。

新工厂从2015年开始建造,耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆,3D NAND闪存芯片将占据一半以上。

IHS Markit发布的报告显示,三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。

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编辑:李强 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/article_2017041326759.html
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