英飞凌新一代CoolMOS™可减少50%的开关损耗

2015-05-22 17:20:02来源: EEWORLD
专用EiceDRIVER™ IC 可进一步节省空间和设计成本
 
    2015年5月22日,德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新的CoolMOS™ C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS™ CP可减少50%的开关损耗,在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。CoolMOS C7在业内率先实现1 Ω/mm2的面比电阻(RDS(ON)*A),它进一步扩展了英飞凌的最低每封装RDS(ON)产品组合,可支持客户进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗,适合大功率开关电源(SMPS)应用——比如服务器、电信、太阳能以及需要提高效率、降低组件成本(BoM)和总拥有成本(TCO)的工业应用。
 
    CoolMOS C7可降低超大型数据中心和电信基站等要求提高效率和降低TCO的应用的开关损耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓扑的效率分别提高0.3%-0.7%和0.1%,这有利于显著降低总拥有成本。对于2.5 kW的服务器PSU,使用C7 600 V MOSFET可将因PSU能量损失导致的能源成本降低10%左右。
 
    在企业服务器等关注组件和其他成本的应用中,CoolMOS C7 600 V器件可帮助降低磁性元件成本。由于极电荷和输出电容显著降低,C7的开关频率是CoolMOS™ CP的两倍,但效率仅稍逊于CoolMOS™ CP。这有助于最大限度缩小磁性元件尺寸,降低组件总成本。比如,开关频率从65 kHz增大一倍至130 kHz时,磁性元件成本可降低30%之多。
 
    CoolMOS C7 600 V家族产品将在两个300毫米晶圆厂制造,可为客户提供供货保障。该家族产品囊括RDS(ON)值和封装各不相同的众多型号,首发型号包括采用极具创新性的TO-247 4管脚封装的型号。这种4管脚封装它可消除因快速瞬变导致的电源电感电压降,从而将满载效率最多提高0.4%。
 
    英飞凌副总裁兼AC/DC产品线总经理Peter Wawer表示:“作为英飞凌高压MOSFET产品组合的一部分,全新CoolMOS C7 600V家族是英飞凌预计2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已实现批量生产的现成、可靠的技术,CoolMOS C7器件可最大限度降低开关损耗,实现高达200 kHz的开关频率,而英飞凌的GaN技术将进一步扩大频率范围,支持新型拓扑。”
 
    与CoolMOS C7 600 V形成互补、搭载行业标准管脚的英飞凌全新2EDN7524 EiceDRIVER™ IC,拥有两个独立的非隔离式低侧栅极驱动器,每个驱动器可支持5 A的源汇峰值电流。两个通道都能实现典型的5 ns上升和下降时间,而1 ns的通道间延时匹配方便设置同步切换,使总驱动电流增加一倍。虽然电流增大,但输出级的RDS(ON)非常低,这可最大限度降低驱动器的功耗——即便使用非常小的栅极电阻、或者不用任何外部栅极电阻。因为驱动器IC能兼容控制和启用输入端高达-10 VDC的电压,所以它能有效应对接地反弹,提高系统可靠性。
 
供货情况
    CoolMOS C7 600 V MOSFET的首发型号包括采用TO-220、TO-247和TO-247 4管脚封装, RDS(ON)从40 mΩ到180 mΩ不等的型号。采用TO-220 FP、DPAK、D2PAK、ThinPAK封装,以及具备不同RDS(ON)值的型号,将在2015年第三季度推出。采用DSO-8封装的2EDN7524 MOSFET驱动器将在2015年8月开始量产。更多封装和功能选项将在2015年第四季度提供。如欲进一步了解CoolMOS C7 600 V,请点击www.infineon.com/C7-600V。如欲进一步了解2EDN7524 MOSFET驱动器,请点击www.infineon.com/2EDN
 
英飞凌参加2015年德国纽伦堡电力电子系统及元器件展
    在2015年5月19-21日于德国纽伦堡举行的电力电子系统及元器件展9号展厅第412号展台,英飞凌将展出CoolMOS C7 600 V和2EDN7524 MOSFET驱动器、以及其他面向创新系统的解决方案。如欲进一步了解展会亮点,请点击www.infineon.com/PCIM

关键字:CoolMOS  英飞凌  EiceDRIVER

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2015/0522/article_26447.html
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