Peregrine半导体公司推出40 GHz射频SOI开关

2015-04-20 09:52:56来源: EEWORLD
UltraCMOS® PE42524树立了射频 SOI开关在高频性能方面的新标准,
比起现有的GaAs解决方案,在可靠性和性能方面具有优势
 
    美国圣地亚哥──Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人,先进的射频解决方案的先驱,现在推出UltraCMOS® PE42524,这是行业中第一个工作频率高达40 GHz 的射频 SOI开关。这种开关引人注目地把Peregrine的高频产品阵容扩大到先前以砷化镓(GaAs)技术为主的频率。作为GaAs以外的另一种解决方案,PE42524的可靠性高,在线性度、隔离性能、过渡过程时间和静电放电(ESD)保护性能等方面具有优势。由于这种开关具有这些特性,是用于测试和测量、微波回程、雷达和军事通信设备的理想开关。
 
    “随着我们把高频产品进一步延伸到微波频率,Peregrine证明了射频 SOI技术的能力和优势。” Peregrine半导体高级营销经理Kinana Hussain说。“我们的UltraCMOS技术促成了我们的高频元件,例如PE42524,达到以前人们认为射频SOI不可能达到的性能水平。Peregrine的产品发展路线图包括其他高频元件,已经并将继续在射频 SOI方面树立新的标准。"
 
    Peregrine的高频开关产品,其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和现在40 GHz产品,是用Peregrine公司的UltraCMOS技术制造的。UltraCMOS技术是SOI技术在蓝宝石基片上实现的专利技术。对于高频设计,蓝宝石基片具有十分重要的若干关键性好处。蓝宝石的损耗角正切优于CMOS十倍,优于砷化镓三倍。蓝宝石是电阻率超高的基片,它的隔离度高,而且寄生电容最小。蓝宝石基片根除了硅基片常见的许多耦合方面的影响,因而为射频系统工程师带来非凡的线性度和功率处理性能。
 
特性、包装、价格和供货
 
    Peregrine的PE42524是单刀双掷(SPDT)射频开关裸片,它的频率范围宽,从10 MHz至40 GHz。它的端口与端口之间的隔离性能极好,插入损耗低,线性度优异。在30 GHz时,开关的隔离性能是47分贝,插入损失为2.2分贝,在13.5 GHz时的IIP3为50 dBm。PE42524的开关时间为225纳秒,过渡过程时间很短,为840纳秒,所有引脚的人体放电模型(HBM)静电放电保护电压高达2000伏。和砷化镓的解决办法不同,对于PE42524,在射频端口,如果没有直流电压,不需要阻断电容器。PE42524可以以倒装片裸片的方式提供,它的凸块间距为500微米,从而根除了由于邦定线长度变化而引起的性能变化。
 
    样品、评估工具和量产件现在已经上市。PE42524的倒装片裸片符合RoHS标准,订购数量为1千片时的价格是每个40美元,订购数量为5千片时的价格是32.44美元。
特性 UltraCMOS® PE42524
配置 单刀双掷(SPDT)
频率范围 10 MHz至40 GHz
隔离性能好 · 48 dB (在 26.5 GHz时)
· 39 dB (在 35 GHz时)
· 33 dB (在 40 GHz时)
线性度好 IIP3 为50 dBm (在13.5GHz时)
输入的 1dB压缩点  · 31.5 dB (在 26.5 GHz时)
· 28 dB (在35 GHz时)
插入损耗小 · 1.8 dB (在 26.5 GHz时)
· 3.1 dB (在35 GHz时)
静电放电(ESD)保护额定电压高 2000V(人体放电模型,所有引脚)
开关时间 225 ns
过渡过程时间 840 ns
封装 倒装片裸片

关键字:射频SOI开关  Peregrine

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2015/0420/article_26432.html
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