东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器

2014-11-10 10:05:34来源: EEWORLD

    东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司2014年10月27日宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路,与东芝的传统产品相比,工作电压更低[1],为VDD(opr)= 5至18V。即日起可供货。

新产品主要规格
BiCD 0.13μm工艺
供电电压:VDD(opr)=5至18V
内置过流保护功能
内置过流诊断功能
输出电压 
VOUT=VDD + 8V(最低值)@VDD=5V,IOUT=-100µA,Tj=-40至125°C
VOUT=VDD + 10V(最低值)@VDD=8至18V,IOUT=-100µA,Tj=-40至125°C
小型封装: PS-8(2.8mm × 2.9mm)

应用
    适用于汽车应用,驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET,包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。
 
  注1:与“TPD7102F”(VDD=7至18V)相比

关键字:东芝  MOSFET

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/1110/article_26390.html
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