东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列

2014-10-17 09:31:25来源: EEWORLD

通过采用DMOS FET [1]型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵容
    东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布,该公司正在开发BiCD[2]晶体管阵列TB62xxxA系列,以取代其双极晶体管阵列TD62xxx系列。后者在一系列广泛的应用中使用,包括电机、继电器和LED驱动。新一代系列产品将搭载采用最新的BiCD工艺技术开发的DMOS FET型输出驱动器。样品出货和量产计划于2015年6月启动。

    相比现有的双极晶体管阵列,新产品将提供更快的切换速度并减少输入电流,同时有助于提高功率效率。

    东芝供应双极晶体管阵列的历史已逾40年,且目前中压(约50V)TD62xxx系列包含100多款装置。随着近来客户对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)型阵列的需求超过双极阵列,东芝决定开始采用BiCD工艺技术开发晶体管阵列,这项技术有望成为未来的标准。

    东芝已从本月开始进行产品开发,并将于2015年6月启动新系列首款产品TB62003A的样品出货和量产。TB62003A是现有TD62003A的升级版。随后,该公司计划每六个月推出TB62xxxA系列中的两款产品,累积将推出超过12款产品。

新系列的主要特性
工艺技术:130nm BiCD(东芝的最新BiCD工艺技术)
维持电压:50V,与现有的双极晶体管阵列相同
封装:与现有双极晶体管阵列的封装相同,均采用同样的引脚分配
输出电流:500mA(TB62003A:与现有产品相同)
功能:与现有产品相同
产品名称:“TB62xxxA系列”,由“TD62xxxA系列”变更而来(命名规则还将改变)
 
注:
[1]双扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管
[2]实现双极、CMOS和DMOS设备集成的工艺技术

关键字:东芝  晶体管

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/1017/article_26370.html
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