Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

2014-10-09 20:58:06来源: EEWORLD

    新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同优点,具有高效率和高功率密度。

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E,该器件具有与该公司600V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。

    Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超级结技术,为采用高性能平面技术的Vishay现有500V D系列器件补充了高效率产品。这些25A器件的导通电阻为145mΩ ,提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和细引线的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多种封装选项,这些低外形封装适用于薄型消费类产品。

    新的MOSFET具有57nC的超低栅极电荷,栅极电荷与到导通电阻乘积也较低,该参数是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。与Vishay的600V和650V E系列器件类似,500V技术具有低导通电阻和优化的开关速度,能够提高功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激转换器应用里的效率和功率密度,

    器件符合RoHS,可承受雪崩和开关模式里的高能脉冲,保证极限值通过100% UIS测试。

器件规格表:

关键字:500V  MOSFET

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/1009/article_26359.html
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