Vishay的新款VRPower® DrMOS尺寸更小且更高效

2014-09-09 17:25:21来源: EEWORLD 关键字:Vishay  DrMOS

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 9 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower®集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A,尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%,但效率更高出3%,最高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小,使开关频率可以达到1.5MHz,能有效提高功率密度,降低总体方案成本。

    该器件包含的高端和低边TrenchFET® Gen IV N沟道低导通阻抗的MOSFET,先进的MOSFET驱动IC,以及自举的肖特基势垒二极管,全部集成在小尺寸25mm2面积内。SiC620的驱动IC兼容各种PWM控制器,支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。

    SiC620家族完全符合DrMOS 4.0标准,针对笔记本电脑、服务器、游戏机、图形卡、交换机和存储系统,以及其他采用CPU的高功率系统中的高功率、多相降压稳压器,以及大电流的非隔离负载点模块。Buck变换器在12V输入时是最优的,输入电压可以从4.5V到16V的范围,PWM传输延迟小于20ns。器件具有优异的散热性能,工作温度比前一代方案的温度低50℃以上。

    器件的驱动IC集成了零电流检测电路,可以改善轻负载条件下的效率,且自适应式死区时间控制有助于进一步提高所有负载点下的效率。保护功能包括欠压锁定(UVLO)、击穿保护和过热警告以便在结温过高时向系统发出告警。

关键字:Vishay  DrMOS

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0909/article_26331.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:提升开发便利性 可编程无线充电控制IC问世
下一篇:Dialog推出峰值功率60W AC/DC转换器

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利
推荐阅读
全部
Vishay
DrMOS

小广播

独家专题更多

TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved