IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列

2014-08-19 18:00:43来源: EEWORLD 关键字:IR  IGBT

    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。

    新器件采用沟道纤薄晶圆技术把导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。这些600V IGBT通过5µs短路额定值来提供从8KHz到30KHz的超高速开关,还具备有助于并联的低Vce(on) 和正温度系数。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR66xx系列把导通损耗和开关损耗降到最低,能够为希望优化焊接应用性能的设计师提供坚固可靠的解决方案。”

    全新IGBT IR66xx系列还具有高开关频率、最高达175°C的工作结温和低电磁干扰的特点,有效提升可靠性和系统效率,并且提供稳固的瞬态性能。

规格

    产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求 。相关数据和IGBT产品在线选型工具现已供应

 

关键字:IR  IGBT

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0819/article_26320.html
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