ST推出先进的1200V IGBT

2014-07-09 16:44:29来源: EEWORLD 关键字:IGBT  ST

    中国,2014年7月8日 ——意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC, Power-Factor Correction)转换器等应用的能效和耐用性。

    意法半导体的新H系列1200V IGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%。饱和电压(Vce(sat))减低至2.1V (在标准集极电流和100°C下的典型值),这能确保总体损耗降至最低,在20kHz开关频率下更高效地工作。

    此外, 新款1200V IGBT提供集成高速恢复反并联二极管的选项,以助力开发人员优化硬开关电路的性能,使用续流二极管大幅降低开关电路的能源损耗。

    新款IGBT的耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应,短路时间极短,仅5µs(在150°C 初始结温时)。最大工作结温扩大到175°C,有助于延长产品的使用寿命,简单化系统散热设计。宽安全工作区(SOA,Safe Operating Area)提升大功率应用的工作可靠性

    优异的防电磁干扰(EMI,electromagnetic interference)是新产品的另一大优点,这归功于新系列产品在开关过程中取得近乎理想的波形,令竞争产品望尘莫及。Vce(sat)的正温度系数,结合器件之间参数分布紧密,使其在大功率应用中实现更安全的并行工作。

    意法半导体的H系列IGBT现已量产,采用TO-247封装,有15A、25A和 40A三个型号。

关键字:IGBT  ST

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0709/article_26274.html
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