英飞凌扩展其逆导软开关IGBT 产品组合

2014-05-20 17:10:06来源: EEWORLD

    新器件可降低高达 30% 的开关损耗,使系统更加节能高效。

    2014年5月19日——英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

    新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样,比前一代产品更加高效节能,可进一步降低30%的开关损耗,使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。总而言之,这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色,可使系统整体减少5%的能源消耗。

    基于RC-H5 650V的系统不仅节能性能出色,而且由于阻断电压增大,使系统设计更具优势,从而大幅提升系统可靠性。650V逆导系列器件品质非凡,既有适合快速开关应用的器件,又有符合软开关设计的器件,不仅在使用上更具灵活性,还能减少系统整体受到的限制。这款新器件具有更好的EMI特性,所需滤波电路更少,对各类的开关设计都有极大的好处。它还可优化热性能,在175°C的最高结温(芯片正常工作的环境温度)下进行无故障操作。

    英飞凌科技股份有限公司IGBT分立器件营销总监Roland Stele指出:“在所有家用电器中,电磁炉具有极大潜力,可为人们节省更多能源消耗,为保护地球环境做出贡献。凭借新推出的分立式RC-H5 650V器件,英飞凌将为家用电器提供更丰富的产品,促使我们的客户研发出更可靠更节能的系统。”

产品组合及可用性
    RC-H5器件现有20A、40A、50A三种电流级别可供选择。将于2014年6月提供样品,届时产品将开始量产。RC-H5系列产品与EiceDRIVER™ 1EDL、2EDL驱动芯片结合使用,与XMC 1000/4000系列微控制器结合使用可达到最佳效果。

关键字:英飞凌  IGBT

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0520/article_26065.html
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