载波耦合及接收电路

2014-04-19 15:47:47来源: 互联网

载波耦合接收电路,图(a)电路中D3、D4 起嵌位作用、吸收低压电力线上的尖峰干扰。载波发射功率的大小与VHH 电源幅值的高低、电源电流提供能力密切相关,一定范围内提高电源幅值、增大电源功率,可以有效加大发射功率、从而延长通信距离。
,图(b)中电感L1、电容C3 完成整形滤波后,再通过耦合线圈T1 耦合到低压电力线上,双向二极管D7 起保护作用。
图(b)中包含接收回路部分。R3 在接收本地强发射信号时可以有效吸收衰减;电感L2、电容C6 组成并联谐振回路,谐振以中心频率为120KHz 设计,完成对有效信号的带通滤波;良好的选频回路可以有效提高载波接收灵敏度
    二极管D5、D6 的作用是将接收信号的电位钳制在±0.7V。接收信号经过电容C4 后引入到芯片内部进行混频处理,SIGIN 被内部上拉后平移到2.5V±0.7V,以利于后续处理。

关键字:载波耦合  接收电路

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0419/article_25589.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
载波耦合
接收电路

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved