TI面向大电流电机控制及电源设计推出的MOSFET

2014-03-25 17:24:41来源: EEWORLD

     最新中压功率 MOSFET 采用 TO-220 封装包括最低导通电阻 80V 及 100V 器件。

    2014 年 3 月 24 日,北京讯---德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压,进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件,可为广泛大电流电机控制电源应用提供优异的散热性能。

最低导通电阻
    两款最新 80V 及 100V NexFET 器件可在不影响高极电荷的情况下,通过 TO-220 封装实现业界最低导通电阻,从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506 可在高达 80V 的输入电压下支持 2.0 毫欧姆的导通电阻,而 CSD19536 则可在 100V 输入电压下支持 2.3 毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装,支持高应力电机控制应用。此外,设计人员还可通过访问 TI 获奖的 WEBENCH® 在线设计工具便捷选择最新产品,模拟电源设计
  
简单易用的评估板
    TI 还基于 60V NexFET 产品推出了几款简单易用的评估板,都可通过 TI eStore™ 订购:

步进电机前置驱动器:DRV8711EVM 评估板基于 DRV8711 步进电机控制器,与 NexFET 器件搭配,可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷 DC 电机;

 电机驱动 BoosterPack:BOOSTXL-DRV8301 套件是基于 DRV8301 前置驱动器的 10A 三相位无刷 DC 驱动级,适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员;

数字电源:UCD3138PSFBEVM-027 可帮助电源开发人员设计数控移相离线 12V、360W 电源转换器应用;


负载点控制:TPS40170EVM-597 评估板支持 TI 具有 2 个 NexFET 器件的 TPS40170 同步降压控制器。
  
关于 NexFET 功率 MOSFET
    TI NexFET 功率 MOSFET 技术可提升高功率计算、网络、工业以及电源的能源效率。这些高频率、高效率模拟功率 MOSFET 可为系统设计人员提供现已上市的最高级 DC/DC 电源转换解决方案。
   
供货情况
    CSD19506KCS 与 CSD19536KCSN 通道器件现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商全球网络进行订购。每款产品都采用 3 引脚标准 TO-220 封装。此外,TI 还提供采用无引线 5 毫米 × 6 毫米 SON 封装的 40V、60V、80V 以及 100V FET。
  

关键字:电机控制  电源设计  TI  MOSFET

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0325/article_25121.html
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