Vishay发布宽体IGBT和MOSFET驱动器

2014-03-25 15:38:56来源: EEWORLD

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 3 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于电机驱动太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBTMOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离,还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压,非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。


 
    除了具有优异的隔离能力,使用可靠和久经考验的光电子技术,VOW3120-X017T还具有目前最好的的电性能。VOW3120能抑制50kV/μs的典型共模噪声,很好地说明了该器件的噪声隔离能力。
 
    VOW3120-X017T的电流消耗只有2.5mA,对于要求高效工作的电源是很实用的选择。

    VOW3120-X017T引以为傲的典型延迟小于250ns,上升和下降时间小于100ns,使其非常适合需要IGBT快速开关的的应用场合。
 
    VOW3120-X017T现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为四周到六周。

关键字:Vishay  IGBT  MOSFET

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0325/article_25120.html
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