Vishay发布2014年“Super 12”明星产品

2014-03-11 16:00:21来源: EEWORLD

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 3 月11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布其2014年“Super 12”明星产品。每年,Vishay都会挑出12款采用全新技术,能够大幅提高终端产品和系统性能的重要半导体和无源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半导体和无源器件的卓越实力,并且让人能从中了解Vishay的广泛产品组合。

         

2014年的Super 12产品如下:
Vishay Dale WSLP表面贴装Power Metal Strip® 电阻—WSLP是用于高性能产品如汽车、计算机、工业和消费应用,采用小尺寸外形,具有10W高功率和低至0.0003Ω的极低阻值,以及0.5%的严格阻值容差。
 
采用SMPA封装的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器—45V器件在3A电流下的正向压降低至0.37V,高度为0.95mm,采用SMPA封装,通过AEC-Q101认证,适合汽车应用,50V整流器适用于智能手机和平板电脑的充电器。
 
Vishay Sfernice PRAHT高精度薄膜SMD卷包片式电阻—PRAHT 4电阻网络适用于高温钻井和航空应用,工作温度从-55℃到+215℃,最高储存温度达+230℃,是业内首个采用薄膜技术制造的排阻。
 
Vishay Semiconductors TCPT1350X01/TCUT1350X01 SMD透射式光传感器—通过AEC-Q101认证的单通道TCPT1350X01和双通道TCUT1350X01适合汽车和工业应用,工作温度高达+125℃,间隙宽3.0mm,典型输出电流为1.6mA。
 
Vishay Dale IHCL复合耦合电感器—IHCL器件采用IHLP® 技术制造,可在SEPIC DC/DC转换器中实现高性能。器件在小尺寸10.16mm x 10.67mm封装里集成了两个电感器,耦合超过90%,工作温度高达+155℃。
 
Vishay Siliconix SiZ340DT双通道N沟道30V MOSFET
—非对称双通道功率MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV技术,比采用PowerPAIR 3mm x 3 mm封装尺寸的前一代器件的导通电阻低57%,功率密度高25%,效率高5%。
 
Vishay Roederstein MKP1848C金属化聚丙烯DC-Link膜电容器
—MKP1848C针对DC-link应用,1μF~500μF的容量范围是业内最宽的,占位只有9mm x 32mm x 19mm,电压等级为500V~1200V。
 
Vishay Siliconix SiP12109 microBUCK®集成同步降压稳压器—4A电流的SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装里集成了高边和低边功率MOSFET,为设计者提供了面积仅有180mm2的完整高电流解决方案。
 
Vishay Vitramon QUAD HIFREQ系列MLCC—QUAD HIFREQ系列MLCC是针对通信、医疗、军工和工业设备及仪表中的高频RF应用而设计的,具有超过2000的超高Q值和0.01Ω的超低ESR,采用1111外形尺寸,电压等级为1500V。
 
Vishay Siliconix SiHG47N60E/E系列高压MOSFET—SiHG47N60E属于Vishay的E系列600V MOSFET,在10V下的导通电阻为99mΩ,极电荷为147nC,可以实现极低的传导和开关损耗,在高功率、高性能开关应用中能够节省能源。
 
Vishay MCB WCR水冷功率电阻—WCR电阻在60℃进水口温度下的功率耗散高达2500W,可以承受10秒钟的5000W高能脉冲,适合用作大型驱动器、HVDC/SVC的缓冲器和直流分压电阻。
 
采用SMPD封装的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器—这些45V~120V器件针对商业应用,在15A下的正向压降低至0.40V。SMPD封装的占位兼容D2PAK(TO-263),而1.7mm的典型高度则更低。
 

关键字:Vishay  光传感器  电感器  MOSFET

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0311/article_24651.html
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