仙童的创新

2014-03-07 15:43:32来源: 综合整理

作为集成电路的发明者,仙童半导体产业留下了无数的脚印,以下是部分重要产品一览。

1958年,诺伊斯发明了平面集成电路,采用薄膜淀积方式将分立器件互联,而来自德州仪器的基尔比则是用导线将器件互联,因此诺伊斯的集成电路更接近现代的集成电路。

1959 年 7 月 30 日,诺伊斯为单片集成电路提出专利申请。

1961 年 4 月 25 日,仙童半导体获授此专利,并从此开启了集成电路时代。 电阻-晶体管逻辑 (RTL) 产品 — 置位/复位触发器 — 是该行业首个可作为单片生产的集成电路。

在60年代初,仙童半导体开始研制MOSFET,尽管该技术落后于RCA和贝尔实验室,但仙童的技术令MOSFET稳定的量产成为可能。

1963年,仙童的Robert Widlar和Dave Talbert合作开发了两款革命性产品:uA702与uA709。第二代 RTL 产品开发成功,即双设备首次采用了埋层隔离技术。

1964年,采用薄膜发射极电阻技术的NPN 平面功率晶体管做法为业界首创。

1965年,仙童开发了首个普遍应用于全行业的 OpAmp(运算放大器)— 这是线性集成电路领域中的一个里程碑。

1966年,仙童推出了首个标准的 TTL 产品,一个四芯导线双输入NAND栅极。 TTL 逻辑仍是该行业的主力产品。与早期电路类型相比,该产品在速度和功率方面更具优势。

1967年,仙童全行业首个双层金属工艺 32 栅极定制 DTL 逻辑数组投产。

1968年,仙童Rederico Faggin设计出了3708,这是全球首款采用SGT的商用MOS集成电路,同时SGT技术未来也被用于设计包括CCD、动态存储器、EPROM和flash等。David Fullagar开发了业界广泛流行的uA741,一种最早将温度补偿和 MOS 电容器纳入的线性集成电路。

1973年,仙童成为全球首家量产CCD器件的公司,尽管是贝尔实验室首先发明的。仙童推出业界首个具有发射极-基极和基极-集电器接头的介质隔离功能的功能性设备。合并式等平面 II (Incorporated Isoplanar II)使集成电路晶体管的尺寸比仙童最初等平面的产品减小了 70%。 与传统工艺所生产的设备相比,等平面设备的性能 II 改善了两倍。

伴随着英特尔推出8008 8位处理器之后,仙童也开发了F8 8位处理器。

1976年,仙童开发出首款视频游戏系统,使用了F8微处理器,该产品一直流行到雅达利问世之后。

1978年,仙童推出了 FAST 逻辑,其性能比标准的Schottky (74S) 提高了 20% 至 30%,功率减小 75% 至 80%。

1985 年,FACT™(Fairchild 高级 CMOS 技术)逻辑在保持 CMOS 低功耗的同时获得较快的速度。 它为系统设计师提供了优质线性特征,以及优秀的 ESD 和闭锁抗扰度。 FACT AC 和 ACT 系列提供了具有 CMOS 兼容输入及 TTL 与 MOS 兼容输出特性的标准逻辑功能。 FACT 是市场上首个高性能 CMOS 系列,也是唯一一个在激烈的市场竞争中立于不败之地的产品。

1986年,使用高耐用性和低能耗的Fairchild浮动栅极 COMS推出首款 CMOS 非易失性电力可拭存储器,用于要求小脚本和高可靠性的应用程序。

1989年,FACT 静音系列 (FACT QS™) 使用专有的"静音系列"技术控制输出过冲、下冲和 EMI,并提供所有 CMOS 方法都无可匹敌的低噪音,同时提供比 FACT 更快的速度。 FACT 静音系列 ACQ 产品提供 CMOS 兼容输入和 MOS 兼容输出。 它是首个结合电路图的 CMOS 系列,用于控制所有CMOS 电路产生的噪音。

1990 年,推出建立在 AMG™(替代金属接地)架构上的 EPROM。 传统的 T 电池每两排一个触点,与之相比,该架构每 64 排仅需一个触点。 因此,它是行业中尺寸最小的芯片。

1991年,较快的栅极速度、满载电压和温度补偿,以及推动低阻抗传输线的能力使 300 系列成为基于 ECL 的系统以及 ECL 与 TTL 和/或 CMOS 混合系统的优选逻辑设备。 它是在温度/电压 ECL 电路里纳入温度和电压补偿的首个系列之一。

1993年,首款 HC-置换、低噪音、高速 CMOS 逻辑设备。

1994年,CROSSVOLT™ LCX 低压逻辑系列是 3.3 优化逻辑设备中性能最佳的产品。其率先纳入过压容差,推动行业向 3.3V 操作转变。为在 ISA 总线适配器卡上实现即插即用功能,提供完整的单芯片解决方案。

1996年,TinyLogic™ 在某些现有可用最小封装中提供单栅功能。 "微型高速系列"提供与 HC/VHC 相似的性能,并可配合 CMOS (HS) 和 TTL (HST) 兼容输入使用。

1997年:

GTLP 后面板收发器特别为中高性能后面板应用设计。 开漏输出结构和边缘速率控制使后面板设计师可优化其设计,以便在利用入射波切换的同时,还可使用后面板的独特性能特征,从而使后面板数据的流量最大化。

每平方英寸 1 千万个单元代表着仙童闭合单元 PLANAR 30V 功率 MOSFET 产品组合的顶峰。 随着低栅极电荷以及更快的切换要求使 PowerTrench™ 成为业界关注的焦点,此功率 MOSFET 技术标志着行业发展的转折点。

仙童的 CROSSVOLT™ VCX 低电压逻辑是业界首个针对 2.5V 性能进行优化的低电压系列。 VCX 速度非常快,有 3.3V、2.5V 和 1.5V等电压可选。 VCX 以高性能 CMOS 方法制造而成,提供输入和输出超压容差、低 CMOS 功耗和均衡的高驱动。

1998年,同类中首款算术控制器引擎 (ACEx™) 是一个为低功率高性能而优化的复杂 8 位微型控制器。 ACEx 首次使用 8 根引线 TSSOP 封装,是低功率和电池应用的理想选择。
仙童的模拟生产线率先使用在 PC 上用其 RC5051 进行 DC-DC 转换的开关。

1999年:仙童进入 LVT 市场

仙童进入 LVT 市场,以满足客户对蒲式耳和非蒲式耳 LVT 产品稳定供应的要求,从而大幅扩展了Fairchild进入分离式驱动应用(如后面板、存储器阵列、网络和电信开关)整体消费市场的道路。

仙童成功完成对Samsung电力设备部门的收购,获得了一条用于生产功率分离式设备以及各类行业标准模拟元件的完整生产线。 仙童的多市场产品组合现在包括市场排名前 100 的高容量模拟产品,以及最全面的分立式电源产品。

在功率系统设计中使用时,仙童的开放式单元平面 MOSFET 技术拥有业界最佳性能。 QFET 技术具有改善的导通电阻、最小化的栅门负以及非常高的 dv/dt 能力,因而能提高耐久性。

仙童的电源开关技术 (SPS) 将一个脉冲宽度调节 (PWM) IC 和一个用于离线电源切换封装的 SenseFET 相结合。 在减少部件数量并使成本最小化的同时,电源开关解决方案还提供了有助于增加可靠性的保护功能。

仙童的 IGBT 是一种综合使用二极和 MOSFET 两种技术的电源转换器,因而使设备具有容易驱动的低开态损耗特性。 IGBT 特别适合更高功率的应用。在此类应用中,其可抑制 MOSFET 的传导损失。

用于电源产品的 BGA 封装 仙童半导体成为上市公司 公司在纽约股票交易所的股票交易代码为 FCS。

在功率系统设计中使用时,仙童的开放式单元平面 MOSFET 技术拥有业界最佳性能。 QFET 技术具有改善的导通电阻、最小化的栅极电荷以及非常高的 dv/dt 能力,因而能提高耐久性。

2000年:

2000 年,仙童推出接口和逻辑组,进军快速增长的 Internet 硬件和无线领域。 这是公司规划的关键一步,即通过新产品开发和战略收购成为所选市场中的领军者,实现内部增长。
仙童完成对 QT 光电子的收购

仙童完成对光电领域全球最大独立公司 QT Optoelectronics 的收购,将公司产品组扩大到所有细分市场。

仙童通过收购 Kota Microcircuits 和 Micro Linear 的电源管理业务,促进其全球模拟业务的发展。 仅仅 28 个月里,此收购就使公司模拟业务的年收入公司从零增长到 4 亿美元。

仙童推出同类首个 MOSFET BGA 封装,该封装具有用于手机电源管理应用的 FDZ204P 高电流密度负载切换功能。 这款创新的专利封装具有从 2.25至 27.5 mm2 不等的各类规格,额定电流超过 30 安培。

2001年:

仙童推出行业首个 20 位可配置总线开关。 FST16450 是一个具有可选电平切换功能的 20 位可配置总线开关,FSTUD16450 是一个具有下冲保护和可选电平切换功能的 20 位可配置总线开关。 这两个 20 位设备都可配置为 4、5、8、10、16 或 20 位开关。 这些设备为设计师显著地节省了空间、提供了设计的灵活性,并减少了部件数量。

仙童完成了对 Intersil 公司分立电源业务的收购,并成为世界上第二大电源 MOSFET 供应商。
在亚太地区,仙童的分立式半导体业务排名第一。

在亚太地区,仙童的分立式半导体业务排名第一,在该市场的收入增加了约 31%。 仙童通过优化以下市场获得飞跃,一举领先: 计算机(包括台式机、笔记本、服务器、HDD)、通讯(包括移动电话、网络)、汽车、电源 (AC/DC, DC/DC)、电动机控制、消费者、照明镇流器、CRT 显示器和新兴市场(游戏系统、DSC、PDA、MP3)。

2002年:

FDS6670AS 代表了应用于第三代 PowerTrench® 工艺核心的 Fairchild SyncFET(tm) 专利技术。

仙童开发表面贴装蓝色 LED™。 此外,在为 CPU 核心电压电源同步整流降压转换器应用而设计的产品线里,FDS6670AS 为最新产品,它代表应用于第三代 PowerTrench® 工艺核心的 Fairchild SyncFETTM 专利技术。

2003:

FSBB20CH60 是用于三相逆变器的业界最小智能电源模块,且一个封装里包含 16 个芯片。

2005:

推出 µSerDes™ 低功率 24 位双向串并/并串转换器。该转换器也是体积最小、功率最低、 EMI SerDes 最低的设备。 它大大减少了信号线的使用,因此迅速在新兴的手机市场普及。 灵活的架构使之可在无需更改软件的条件下跨平台使用。 同一时期,Dr. Mark Thompson 被委任为总裁兼 CEO。

2010:

FDMC7570S(一个 25 V 的 MOSFET)在一个 3 mm x 3 mm MLP 封装中提供行业最低的 RDS(ON), — 从而提供无可匹敌的高效率,并改善接合温度。

FDZ192NZ和 FDZ372NZ 是行业中最小最薄的晶圆级芯片尺寸 (WL-CSP) N 沟道器件。

关键字:仙童

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0307/article_24545.html
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