9V 至 72V 理想二极管桥控制器现提供适合军用和汽车应用的 −55ºC 至 125ºC 温度规格范围

2014-03-06 18:54:13来源: EEWORLD

    加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2014 年 3 月 5 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽车 (H 级) 和高可靠性军用 (MP 级) 版本 LT4320,该器件是一款理想二极管桥控制器,适用于 9V 至 72V 系统。LT4320 用低损耗 N 沟道 MOSFET 桥取代了全波二极管桥整流器,以将功耗和电压损耗降低 10 倍或更多。因电源效率提高而不再需要笨重的散热器,从而减小了电源尺寸。由于消除了在二极管桥固有的两个二极管压降,所以提供了额外的裕度,而使低压应用可从中受益。与其他传统电桥相比,MOSFET 桥可实现非常节省空间和功耗的整流器设计。H 级和 MP 级版本分别保证工作在 −40ºC 至 125ºC 和 −55ºC 至 125ºC 温度范围。

    LT4320 的开关控制平滑地接通两个合适的 MOSFET,同时保持另外两个断接以防止反向电流。一个集成的充电泵无需外部电容器,就能够为导通电阻很低的外部 N 沟道 MOSFET 提供极驱动。MOSFET 的选择可在功率方面提供了最大的灵活性,范围从 1W 直到数千瓦。

    LT4320 有两种版本可供选择:LT4320 为 DC 至 60Hz 电压整流而设计;而 LT4320-1通过加倍顶端源漏极调节电压,为 DC 至 600Hz 进行了优化。H 级版本采用 8 引脚 DFN (3mm x 3mm) 和 PDIP 封装、以及 12 引线 MSOP 封装,并具备增强的高压引脚间距,而 MP 级版本仅采用 12 引线 MSOP 封装。H 级和 MP 级版本的千片批购价分别为 3.45 美元和 8.85 美元。

照片说明:额定工作温度为 −55oC 至 125oC 的有源桥整流器降低了功率和压降


性能概要:LT4320H / MP
低损耗方案以取代二极管桥整流器
最大限度地减少热量以减轻热设计负担
最大限度地提高电源效率和可用电压
在 9V 至 72V、DC 至 600Hz范围工作
控制四个 N 沟道 MOSFET
1.5mA 静态电流
保证工作在 −40°C 至 +125°C 结温范围 (H 级)
保证工作在 −55°C 至 +125°C 结温范围 (MP 级)
8 引脚 DFN (3mm x 3mm)、8 引线 PDIP 和 12 引线 MSOP 封装

 

关键字:二极管  桥控制器

编辑:冯超 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0306/article_24543.html
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