高速H桥上管驱动电路

2014-02-12 13:05:49来源: 互联网 关键字:高速  H桥  驱动电路

高速H桥上管驱动电路

上例方案的速度瓶颈为光耦,如果不采用光耦那么控制信号的频率可以提高很多。通过试验,我们开发了如下的高速型H桥上管驱动电路。方案如图9所示。

图中上管控制信号高电平为+l2 V,低电平为0 V。控制信号通过电阻电容和二极管电路加到Q1的基极,Q1的集电极输出作为

图9 高速H桥上管驱动电路
Fig.9 High Speed H-bddge Highside Driving
Q2,Q3组成的差动驱动电路控制信号,差动电路的输出作为Ml的驱动信号。Q2,Q3组成的差动驱动电路上端Q2接 +l2 V电源,下端Q3接到Ml的s极。当上管控制信号为低电平时,Q2导通,Q3截止,Ml的G极约为 D+l2 V,使Ml可顺利导通。Ml导通后,其D极和s极之间为通路,几乎没有压降,此时s极也为l,DD,则Ml的G和s之间的压差为l2 V,满足MOS管的导通条件,Ml可维持导通状态。当上管控制信号变为高电平时,Q2截止,Q3导通,使Ml的G和s极之间压差很小,不能满足MOS管的导通条件,则Ml截止。需要指出的是,当Q2导通M1尚未导通的瞬间,Ml的G和s间压差为l,DD+l2 V,但由于MOS管的开启时间极短(几十US),Q2导通时,Ml几乎同时开启,使MJ的G和s之问的压差保证为12V(如图10)。

高速H桥上管驱动信号畸变
Fig.10 Signal Transmogrification of High Speed H-bddge

图9所示的上管驱动电路有很强的驱动能力,并具有很高的极限频率,使用这个驱动电路来驱动MOS管,能使MOS管的控制信号在较高的频率(20 k以上)下不失真。

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编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0212/article_24105.html
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