揭秘IGBT市场成长的动力来源

2014-02-09 18:48:27来源: 互联网

据市场研究机构Yole的最新报告,IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后,今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言,市场预估将从今年的36亿美元,在5年后达到60亿美元。IGBT将在电动车/动力混合汽车(EV/HEV)、再生能源(Renewable Energies)、马达驱动器(MotorDrive)、不断电动力系统(UPS)及交通上的应用是该市场的成长动力来源

  在报告中最广泛分析的是IGBT在马达驱动器的应用,区分为工业、商业和住宅应用,马达驱动器是带动IGBT市场成长的最大动力。如风能、太阳能等再生能源领域也是IGBT市场成长的帮手。不过,这两个产业多赖政府补助或投资,难以正确预估其成长趋势。

  除了以上的六项主要成长动力,包括家电的变频趋势──为达到更舒适、更有效率、更节能的条件,越来越多家电马达驱动器中备有变频器,消费者也越来越习惯使用先进家电产品,例如电磁感应电锅,这一类的新应用也是IGBT越来越能被消费性电子产品接受的原因。

  同时,有越来越多的亚洲公司已进入或有意进入IGBT市场。其中最积极往成功方向迈进的是CSR Times Electronics和BYD,两者皆有意向朝垂直整合的生产模式发展。此外代工厂及无晶圆厂也正在瞄准低电压,低阶产品市场的发展机会。

  IGBT与其他功率元件的竞争

  IGBT不再是高阶电子设备的唯一解决方案了,SiC Devices已经量产、GaN Devices也在试产阶段,IGBT的应用逐渐被推往中、低电压的产品,SiC负责处理HighVoltage的产品,GaN则逐渐转往Lowvoltage的产品线。

  SiC比GaN最佳工作电压更高,最佳工作功率更高。其应用范围比较窄,局限在轨道交通、海上风电、PV和工业驱动领域。对于HEV、EV和PHEV市场,SiC比GaN缺乏竞争力。HEV是目前市场主流,被丰田垄断,而丰田倾向于采用GaN而非SiC,当然了2015年之前IGBT还是主流。

  丰田第二代普瑞斯PCU中采用的逆变器IGBT为平面型,从第三代开始采用沟道型,因此后者的IGBT尺寸和厚度均小于第二代PCU。其中,芯片面积减小约17%,为11.7mm×9.4mm,厚度从380μm减至165μm。还提高了耐压,从850V增至1250V。另外,第三代PCU中配备的IGBT,每枚芯片流过的电流为200A左右。

关键字:IGBT市场  动力来源

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2014/0209/article_23966.html
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