DS1972 EPROM仿真模式,用于保护数据不被意外擦除

2013-12-26 15:17:52来源: 互联网

DS1972 EPROM仿真模式,用于保护数据不被意外擦除

DS1972是一款1024位的1-Wire® EEPROM芯片,存储器分为四个页面,每页256位,采用坚固的iButton®封装。数据先被写入一个8字节暂存器,经校验后复制到EEPROM存储器。该器件的特点是四个存储页面相互独立,可以单独进行写保护或进入EPROM仿真模式,在该模式下,所有位的状态只能从1变成0。DS1972通过一条1-Wire总线进行通信,采用标准的1-Wire协议。每个器件都有不能更改的、唯一的64位ROM序列号,由工厂光刻写入芯片。在一个多节点1-Wire网络环境下,该序列号可以用作器件地址。

关键特性

  • 1024位EEPROM存储器,分成四个页面,每页256位
  • 独立的存储页面,可以被永久写保护或进入EPROM仿真模式(“改写为0”)
  • 切换点滞回与滤波可以优化噪声指标
  • IEC 1000-4-2 4级 ESD保护(±8kV接触放电、±15kV气隙放电模式)
  • -40°C至+85°C温度范围内,可在2.8V至5.25V工作电压下进行读、写操作
  • 按照1-Wire协议,以15.4kbps或125kbps速率通过一条数字信号线与主机通信

    应用/使用

    门禁控制/停车计费表
    库存控制
    保持/监测数据存储
    工具管理
    工作流程跟踪

关键字:DS1972  EPROM  仿真模式

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/1226/article_22339.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
DS1972
EPROM
仿真模式

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved