微阵列加速度传感器的版图设计

2013-11-28 10:19:21来源: 互联网

微阵列加速度传感器版图设计
微阵列加速度传感器版图设计是依赖于传感阵列布阵的研究。根据上述的回归分析方法确定因子空间中传感器有效的布阵,从而可以用较少的传感器得到有效的、足够的关于研究对象的加速度场的信息。
借助正交回归设计对线性和非线性情况下传感阵列的布阵设计进行研究:
1) 线性情况
经正交实验和回归分析后,按照正交表来安排试验,二水平正交表如表1所示。
图1所示的版图在3 mm×3 mm芯片平面上有8个悬臂梁组成,在每个悬臂梁根部上面有变形电阻。变形电阻中心点位置处在同一平面上,其中4个在顶点,另外4个是正方形四边的中点位置,8点形成正方形图形。
2) 非线性情况
经理论分析计算和实验研究,其实验数据如表2所示。
图2所示版图为在3 mm×3 mm的芯片平面上刻制有8个悬臂梁组成,每个悬臂梁根部上表面有变形电
阻。变形电阻的中心位于同一平面圆周上,其位置是在同一圆周8等分的点处。
表1 二水平正交表
表2 各点实验值

图1 适用线性情况微阵列加速度传感器版图  图2 适用非线性情况微阵列加速度传感器版图

微阵列式加速度传感器的工艺制造
加工微阵列式加速度传感器的工艺特点是集成电路三维加工工艺与二维加工工艺相结合,实现双极集成电路与传感器体加工工艺相并容方法制成。采用多次光刻及高深宽比加工工艺使控制深度达到50 μm,其工艺流程框图如图3所示。

图3 工艺流程框图
经上述工艺多次光刻和扩散处理后制成的样品,其微阵列加速度传感器的参数如下:
1) 芯片面积:3 mm×3 mm
2) 测试加速度范围:100~5 000 g
3) 灵敏度:0.98 V/g
4) 适应环境温度:−40~+400℃

关键字:微阵列  加速度传感器  版图设计

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/1128/article_21333.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
微阵列
加速度传感器
版图设计

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved