电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用(一)

2013-11-19 09:42:17来源: 互联网
引言

  红外(IR)接近传感器目前被广泛的应用于智能手机中来防止通话时用户脸部造成的触摸屏误触,同时降低功耗。IR传感器具有探测距离远,反映速度快等优点,但是其昂贵的成本和复杂苛刻的装配要求,促使手机厂商寻求成本更低、结构简单的方案。电容式接近感应白色家电智能家居等领域的普及,为手机接近感应方案提供了一种有效的思路。本文提出了一种基于电容变化的手机接近感应方案,给出了具体的系统结构、硬件设计和控制要点。此方案已经成功地应用到知名品牌的手机产品中,取得了很好的效果。

  一 系统结构

  电容式接近传感系统的结构如图1所示。控制器通过电极检测物体靠近手机时引起的电容值变化,一旦电容值变化超过控制器程序中设定的阈值,控制器便会向手机处理器发出中断信号, 如果此时手机正处于通话模式,主机将关闭LCD显示和触摸屏等部件,实现降低功耗和避免误触等目的。

  电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用

  电极负责探测电容变化,其设计质量很大程序上决定了系统的整体性能。电极本质上就是一块平面导体,可以是FPC上的一块铜皮,也可以是电容触摸屏上的一块ITO薄膜。

  图2给出的ITO薄膜电极的设计示例。电极的尺寸直接影响接近感应的探测距离。在其他设计不变时,探测距离随电极尺寸的增大而增大。电极在外形上要尽量圆滑,避免出现直角或者锐角,而且电极要尽量完整。在手机应用中,电极通常采用矩形来最大化感应面积,此时需要注意圆弧化电极的拐角。电极应该放在FPC或者ITO薄膜贴近触摸屏的一侧,而且背面的另一侧通常需要腾空。电极背面对应的手机前壳区域应当避免有大面积的金属,否则会影响探测距离。电极周边需要铺设地线来增强电容基准,屏蔽噪声,并且提高感应方向的直线性。电极和地线的间距建议为0.5mm到1mm, 地线的宽度根据具体情况而定,建议不小于1mm。电极到芯片的引线应该尽量短且细,以减少寄生电容和耦合噪声。

  电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用

  影响系统性能的另一个主要因素是控制器。我们选用了赛普拉斯(Cypress)公司具有全新Quitezone技术的可编程CapSense控制器CY8C20055。 Quitezone技术提供了无与伦比的抗辐射和传导噪声的能力,并且具有超低功耗,很适合在手机等移动终端中使用。该技术还实现了业界最佳的信噪比(SNR),在高噪声的环境中也可以通过Cypress已获专利的CapSense Sigma-Delta (CSD) Plus算法实现低至0.1pF的电容变化检测,非常适合应用于接近感应。另外,CY8C20055采用SmartSense自动调教技术,可以实时动态补偿运行时的环境变化,从而保证性能的稳定性和通道之间的一致性。

  二 硬件电路

  本文设计的电容式接近感应的电路图如图3所示。CY8C20055的外围电路很简单,最小配置只需要2个电容 — 调制电容C1和去耦电容C2。

  电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用

  在此电路中,芯片的PIN 3连接到电极来采集电容信号,推荐在连线靠近芯片处串联一个典型值为560欧姆的电阻,来抑制RF噪声。手机等移动产品都需要通过严格的ESD测试,由于电极的位置在手机上部,距离手机边缘、听筒、耳机插孔等很近(图2),而且电极面积相对较大,ESD电弧很容易在经过这些开孔或者缝隙进入手机后耦合到电极上,对芯片管脚施加较大的电冲击,存在损坏管脚的风险。本设计在靠近芯片一侧添加了TVS之类的ESD防护元件来保护芯片,需要注意的是所选TVS器件的自身电容不能太大。CY8C20055提供I2C或者SPI接口与主机进行通讯。本设计中,主机可以通过I2C总线来配置感应参数、获取数据、关闭或唤醒芯片等等,也可以进行芯片程序(Firmware)的在线升级。

  在PCB或者FPC布局时,调制电容和去耦电容需要尽量贴近芯片管脚。在走线时,主要注意避免电极引线和I2C信号线、电源线平行,如果无法避免,应该在走线中间加入地线作为隔离。

三 控制器内部逻辑

  本文的电容式智能手机接近感应方案是电容检测技术在赛普拉斯PSoC(Programmable System on Chip)平台上的新型应用。PSoC技术是在一个MCU内核周围集成了可配置的模拟和数字外围器件阵列,利用芯片内部的可编程互联阵列,有效地配置芯片上的模拟和数字块资源,达到可编程片上系统的目的。一个PSoC器件最多可集成上百种外设功能,从而帮助客户节约设计时间和板上面积,降低了功耗和系统成本。

  整个系统的工作过程如图4所示。程序控制CSD模块对电容信号进行采样和ADC转换,然后通过数字滤波器对转换后的数字信号进行过滤和处理,同时由内部状态机判断输出接近感应的状态,由中断信号或者I2C/SPI接口通知手机处理器。下面来介绍一下整个系统主要模块的功能。

  电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用

  CSD模块

  CSD是指CapSense Sigma-Delta调制电容感应。图5显示了CSD的原理框图

  电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用

  开关电容在Ph1和Ph2相位的时候分别接到Vdd和VA,所以我们可以把它看作一个等效电阻,等效电阻Req通过Vdd对调制电容Cmod进行充电。当Cmod的电压达到比较器的参考电压Vref时,比较器触发放电电阻Rb对调制电容放电。当调制电容上的电压下降到Vref以下时,放电电阻Rb被断开,此时继续对调制电容进行充电。如此循环充放电使得调制电容上的电压抑制在比较器参考电压Vref附近上下浮动。同时比较器会输出一组比特流,这组比特流与PWM相与之后便可得到传感电容的大小,如图6所示。

  电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用

  传感电容的增加会使得等效电阻降低,充电电流增加,这样就会使充电时间缩短。充电时间的缩短会使占空比提升,如图7所示。
 

电容式接近感应技术在智能手机中的新型应用

关键字:电容式  接近感应  智能手机

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/1119/article_20915.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
电容式
接近感应
智能手机

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved