利用DS4303为LDMOS RF功率放大器提供偏置

2013-11-14 20:37:21来源: 互联网
摘要:LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时,保证高性能的一个关键因素是补偿极偏置电压,以在温度变化时保持恒定的静态电流。Dallas Semiconductor的DS1870偏置控制器是目前众多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。这篇应用笔记对采用DS4303实现模拟偏置方案进行了说明。 

DS4303概述

DS4303 (图1)是采样和无限保持电压基准,可接受模拟输入电压并利用一个12位数/模转换器(DAC)在其输出端恢复该电压。一旦输出端恢复了输入电压,芯片将输出编码保存至EEPROM,产生非易失模拟基准电压。输出电压由内部低温度系数的基准产生,并通过满摆幅运放进行缓冲。


图1. DS4303功能框图

DS4303 LDMOS偏置电路

图2所示电路可用于对LDMOS的栅极电压进行温度补偿。该电路的输出电压等于DS4303的VOUT乘以2再加上PNP的VBE。经过两倍压后的DS4303电压是具有低温度系数的电压源。PNP管VBE的温度系数大约为+2mV/°C,为LDMOS提供温度补偿。假定PNP管与LDMOS具有良好的导热通道,则该电路可以为LDMOS提供良好的温度补偿。

为对该电路进行较准,将所要求的DS4303输出电压接至VIN引脚,并调节信号拉低以触发DS4303更新输出电压。一旦DS4303完成更新,采用电流检测放大器测量静态电流;并重复该过程,直到达到合适的偏置电压。必须保持连接到DS4303的输入稳定,以保证其输出电压达到正确数值。


图2. DS4303 LDMOS RF功放偏置电路

DS4303偏置电路与DS1870方案的比较

DS4303模拟电路解决方案的主要优势是简便、成本低。如果该电路靠近LDMOS放置,PNP管与LDMOS之间良好的导热通道可以使栅极电压随着温度正确变化。相对于查找表来说,该解决方案的另一优点是易于编程,因为编程针对的是单个温度偏置点。该方案在初始化编程完成后为全模拟方式,所以一旦系统校准完毕,更新查找表不会造成输出瞬变。

关键字:DS4303  LDMOS  RF  功率放大器

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/1114/article_20694.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
DS4303
LDMOS
RF
功率放大器

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved