高频特性得到改善的功率MOSFET放大器

2013-11-12 15:00:16来源: 互联网 关键字:高频特性  功率MOSFET  放大器

高频特性得到改善的功率MOSFET放大器

电路的功能

用于大功率的MOSFET功率放大器,其转换速度比单级晶体管快,适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器,而且还在输出级采用了MOSFET,使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。本电路能连续输出100~150W并能承受负载短路。

电路工作原理

基本电路组成与限流保护电路的100W功率放大器相同,第二差动级是输出用的功率MOSFET,2SJ77,电流密勒电路使用了2SK214。虽然工作电流只有6MA,但是,因为电源电压高达正负50V,晶体管会发热,于是安装了小型散热片。

输出级采用直接驱动方式,由于不经射极输出器缓冲,驱动电路的负载就加重了,如果转换速度需要提高,可以TT5-6的允许损耗范围内尽量加大漏级偏置电流。

功率MOSFET经常产生高频振荡,要抑制振荡比较困难,简单的措施是在栅极串联电阻★标志的RO,但这要牺牲一些高频特性,RO的阻值随所用元件而异,通常在50~500欧之间。

与单极晶体管相比,输出电路的电压损耗很大,电源电压应有所提高。出于输出电路的损耗电压取决于功率MOSFET的通态电阻,在大电流条件下工作,这个问题是不可忽视的,所以采用了多管并联的方式加以解决。

元件的选用

因为FET的VOB~ID特性一致性较差,所以TT5和TT6、TT7和TT8、TT12和TT13、TT14和TT15应尽量选用传输特性不同的产品,偶数高效谐波就会增多。

电路中即使没有源极电阻R2A~R31也能工作,但是该电路如用作电流检测并使用色码绕线电阻,其电感成分不容忽略,这时不宜在高频条件下工作。

调整

第一差动的工作电流可用输入级的置偏电流来调整,若降低R7,电流就会增大,转换速度也可加快,如果R1级等于R11,失调电压就会减小,要完全调零,必须在TT1.2的射极电路中加可变电阻。

输出级的偏流由VR1调整,每个输出晶体管的漏极电流平均为100MA左右。

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编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/1112/article_20604.html
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