工程师参考手册(二):D类功放设计须知

2013-09-11 20:39:00来源: 互联网

二、D类放大器散热注意事项

  摘要:D类放大器相比AB类放大器具有更高的效率和更好的热性能。尽管如此,使用D类放大器时仍然需要慎重考虑其散热。本应用笔记分析了D类放大器的热性能,并通过几个常见的例子说明了良好的设计所应遵循的原则。

  连续正弦波与音乐

  在实验室评估D类放大器性能时,常使用连续正弦波作为信号源。尽管使用正弦波进行测量比较方便,但这样的测量结果却是放大器在最坏情况下的热负载。如果用接近最大输出功率的连续正弦波驱动D类放大器,则放大器常常会进入热关断状态。

  常见的音源,包含音乐和语音,其RMS值往往比峰值输出功率低得多。通常情况下,语音的峰值与RMS功率之比(即波峰因数)为12dB,而音乐的波峰因数为18dB至20dB。图1所示为时域内音频信号和正弦波的波形图,给出了采用示波器测量两者RMS值的结果。虽然音频信号峰值略高于正弦波,但其RMS值大概只有正弦波的一半。同样,音频信号可能存在突变,但正如测量结果所示,其平均值仍远低于正弦波。虽然音频信号可能具有与正弦波相近的峰值,但在D类放大器表现出来的热效应却大大低于正弦波。因此,测量系统的热性能时,最好使用实际音频信号而非正弦波作为信号源。如果只能使用正弦波,则所得到的热性能要比实际系统差。

  

  图1. 正弦波的RMS值高于音频信号的RMS值,意味着用正弦波测试时,D类放大器的发热更大。

  PCB的散热注意事项

  在工业标准TQFN封装中,裸露的焊盘是IC散热的主要途径。对底部有裸露焊盘的封装来说,PCB及其敷铜层是D类放大器主要的散热渠道。如图2所示,将D类放大器贴装到常见的PCB,最好根据以下原则:将裸露焊盘焊接到大面积敷铜块。尽可能在敷铜块与临近的具有等电势的D类放大器引脚以及其他元件之间多布一些覆铜。本文的案例中,敷铜层与散热焊盘的右上方和右下方相连(如图2)。敷铜走线应尽可能宽,因为这将影响到系统的整体散热性能。

  

  图2. D类放大器采用TQFN或TQFP封装时,裸露焊盘是其主要散热通道。

  与裸露焊盘相接的敷铜块应该用多个过孔连到PCB背面的其他敷铜块上。该敷铜块应该在满足系统信号走线的要求下具有尽可能大的面积。

  尽量加宽所有与器件的连线,这将有益于改善系统的散热性能。虽然IC的引脚并不是主要的散热通道,但实际应用中仍然会有少量发热。图3给出的PCB中,采用宽的连线将D类放大器的输出与图右侧的两个电感相连。在这种情况下,电感的铜芯绕线也可为D放大器提供额外的散热通道。虽然对整体热性能的改善不到10%,但这样的改善却会给系统带来两种截然不同的结果 - 即使系统具备较理想的散热或出现较严重的发热。

  

  图3. D类放大器右边的宽走线有助于导热

  辅助散热

  当D类放大器在较高的环境温度下工作时,增加外部散热片可以改善PCB的热性能。该散热片的热阻必须尽可能小,以使散热性能最佳。采用底部的裸露焊盘后,PCB底部往往是热阻最低的散热通道。IC的顶部并不是器件的主要散热通道,因此在此安装散热片不划算。图4给出了一个PCB表贴散热片(218系列,由Wakefield Engineering提供)。该散热片焊接在PCB上,是兼顾尺寸、成本、装配方便性和散热性能的理想选择。

  

  图4. 当D类放大器工作在较高环境温度下,可能需要如图示的SMT散热片(图片来自Wakefield Engineering)。

  热计算

  D类放大器的管芯温度可以通过一些基本计算进行估计。本例中根据下列条件计算其温度:

  TAM = +40°C

  POUT = 16W

  效率(η) = 87%

  ΘJA = 21°C/W

  首先,计算D类放大器的功耗

  公式1

  然后,通过功耗计算管芯温度TC,公式如下:

  公式2

  根据这些数据,可以推断出该器件工作时具有较为理想的性能。因为系统很少能正好工作在+25°C的理想环境温度下,因此应该根据系统的实际使用环境温度进行合理的估算。

  负载阻抗

  D类放大器MOSFET输出级的导通电阻会影响它的效率和峰值电流能力。降低负载的峰值电流可减少MOSFET的I²R损耗,进而提高效率。要降低峰值电流,应在保证输出功率,以及D类放大器的电压摆幅以及电源电压的限制的条件下,选择最大阻抗的扬声器,如图5所示。本例中,假设D类放大器的输出电流为2A,电源电压范围为5V至24V。电源电压大于等于8V时,4Ω的负载电流将达到2A,相应的最大连续输出功率为8W。如果8W的输出功率能满足要求,则可以考虑使用一个12Ω扬声器和15V供电电压,此时的峰值电流限制在1.25A,对应的最大连续输出功率为9.4W。此外,12Ω负载的工作效率要比4Ω负载的高出10%到15%,降低了功耗。实际效率的提高根据不同D类放大器而异。虽然大多数扬声器的阻抗都采用4Ω或8Ω,但也可采用其他阻抗的扬声器实现更高效的散热。

  

  图5. 选择最佳的阻抗和电源电压使输出功率最大。

  另外还需要注意音频带宽内负载阻抗的变化。扬声器是一个复杂的机电系统,具有多种谐振元件。换言之,8Ω的扬声器只在很窄的频带内才呈现出8Ω阻抗。在大部分音频带宽内,阻抗都会大于其标称值,如图6示。在大部分音频带宽内,该扬声器的阻抗都会远大于其8Ω的标称值。然而,高频扬声器和分频网络的存在将降低阻抗值。因此必须考虑系统的总阻抗以确保足够的电流驱动能力和散热性能。

  

  图6. 8Ω阻抗、13cm口径扬声器的阻抗随频率改变而急剧变化。

  结论

  D类放大器的效率相比AB类放大器有很大提高。虽然这一效率优势降低了系统设计时对散热性能设计的要求,但仍然不能完全忽视系统散热。但是,如果能够遵循良好的设计原则并且设定合理的设计目标,使用D类放大器可使音频系统设计更简单。

关键字:工程师  参考手册  D类功放

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/0911/article_19261.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
工程师
参考手册
D类功放

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved