模拟电路基础知识系列之二:半导体三极管

2013-08-26 16:30:30来源: EEWORLD

一.  三极管的结构、类型及特点
1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触
        面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二.  三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态


     
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。


* 输出特性曲线

饱和管压降,用UCES表示                                                   
放大区---发射结正偏,集电结反偏。        截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4. 温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。             温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。
三.  低频小信号等效模型(简化)
hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示; hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;

四. 基本放大电路组成及其原则
1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。   2.组成原则----能放大、不失真、能传输。


五. 放大电路的图解分析法
1. 直流通路与静态分析
    *概念---直流电流通的回路。
    *画法---电容视为开路。
    *作用---确定静态工作点。
    *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。
  *电路参数对静态工作点的影响
  
  1)改变Rb :Q点将沿直流负载线上下移动。
  2)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
  3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的   
  直线。
3. 静态工作点与非线性失真

(1)截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法---减小Rb,提高Q。
(2) 饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。
4. 放大器的动态范围
(1) Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围
  *当(UCEQ-UCES)>(VCC’ - UCEQ )时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当(UCEQ-UCES)<(VCC’ - UCEQ )时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQ-UCES)。
*当(UCEQ-UCES)=(VCC’ - UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。

[1] [2]

关键字:三极管  模拟电路基础知识  放大电路

编辑:冯超 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/0826/article_18987.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三极管
模拟电路基础知识
放大电路

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved