BluGlass通过RPCVD技术减少GaN膜生长杂质

2013-05-11 22:05:38来源: 互联网
澳大利亚的BluGlass公司声称使用他们的低温远程等离子体化学气相沉积(RPCVD)技术可以产生理想纯度的氮化镓(GaN)。该公司说,他们的RPCVD技术可以产生低含量的碳、氢和氧杂质的氮化镓,其杂质含量程度可以与金属有机物气相沉积的GaN层相媲美。

  知名且独立的材料特性公司Evans Analytical Group采用了二次离子光谱学予以证明,BluGlass的技术可以将碳、氢和氧杂质的水平控制在每立方厘米为1*1017个原子以下。

  现在BluGlass计划对p-GaN层进行优化,并将RPCVD的优点介绍给顾客,包括该技术跟传统的MOCVD 相比所获得的LED设备效率的提高。

  BluGlass的CEO Giles Bourne说:“这一成果对于我们公司来说是一个突破,也是给业界和未来顾客证明我们技术实力的关键一步。众所周知,碳和氧抑制了RPCVD技术的障碍,所以这两种杂质的降低将是一个重要的发现。

关键字:BluGlass  RPCVD技术  GaN膜  生长杂质

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/0511/article_18333.html
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