东芝正式成为功率器件玩家,准备量产SiC肖特基势垒二极管

2013-04-15 16:37:47来源: EEWORLD

东芝公司日前表示,即将在兵库县姬路工厂量产SiC器件,用以满足工业和汽车应用日益增长的需求。

   

东芝公司将首先量产肖特基势垒二极管器件(SBD),SBD的效率相比较传统的硅二极管开关电源提高了50%。

另外,SiC功率器件可提供比目前的硅器件更稳定的性能,因此非常适合高电压高电流的应用,包括通信设备、工业、服务器以及汽车的逆变器等等。

分析师估计,碳化硅功率器件到2020年将增长10倍,而东芝的目标是在2020年获得30%的市场份额,达成这一任务的长远计划是通过不断的产品组合,而短期任务则是将SBD产品做好。

新产品的反向重复峰值电压VRRM为650V,平均正向电流IFM为12A,正向电压VF为1.7V(正向电流为12A时的最大值),反向重复峰值电流IRRM为90μA(反向重复峰值电压为650V时的最大值)。TRS12E65C的量产规模预定为100万个/月。

关键字:东芝  功率  SiC

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/0415/article_18097.html
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