东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线,用于便携终端充电开关

2013-02-24 16:54:26来源: 互联网 关键字:12V  耐压  p通MOSFET  便携终端  充电开关
东芝于日前扩充了耐压(漏源间电压)为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220(UDFN6B)封装的“SSM6J505NU”,以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563(ES6)封装的“SSM6J216FE”。新产品的特点是都支持大电流,SOT-1220封装产品的最大漏电流为-12A,SOT-563封装产品为-4.8A。据东芝介绍,此次推出新产品的背景是,“随着便携式电子产品的高功能化,电池容量不断增加,同时充电电流也趋于增大”。新产品主要用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和数码摄像机等的充电开关功率管理开关。

  SOT-1220封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为9mΩ(标称值),在-2.5V时为11mΩ(标称值),在-1.2V时为18mΩ(标称值)。栅极电荷量为37.6nC(标称值)。输入容量为2700pF(标称值)。反馈电容为800pF(标称值)。输出容量为800pF(标称值)。

  SOT-563封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为26.0mΩ(标称值),在-2.5V时为31.5mΩ(标称值),在-1.5V时为49.0mΩ(标称值)。栅极电荷量为12.7nC(标称值)。输入容量为1040pF(标称值)。反馈电容为180pF(标称值)。输出容量为200pF(标称值)。

关键字:12V  耐压  p通MOSFET  便携终端  充电开关

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/0224/article_17975.html
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