东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线,用于便携终端充电开关

2013-02-24 16:54:26来源: 互联网
东芝于日前扩充了耐压(漏源间电压)为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220(UDFN6B)封装的“SSM6J505NU”,以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563(ES6)封装的“SSM6J216FE”。新产品的特点是都支持大电流,SOT-1220封装产品的最大漏电流为-12A,SOT-563封装产品为-4.8A。据东芝介绍,此次推出新产品的背景是,“随着便携式电子产品的高功能化,电池容量不断增加,同时充电电流也趋于增大”。新产品主要用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和数码摄像机等的充电开关和功率管理开关。

  SOT-1220封装产品的导通电阻在源极间电压为-4.5V时为9mΩ(标称值),在-2.5V时为11mΩ(标称值),在-1.2V时为18mΩ(标称值)。栅极电荷量为37.6nC(标称值)。输入容量为2700pF(标称值)。反馈电容为800pF(标称值)。输出容量为800pF(标称值)。

  SOT-563封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为26.0mΩ(标称值),在-2.5V时为31.5mΩ(标称值),在-1.5V时为49.0mΩ(标称值)。栅极电荷量为12.7nC(标称值)。输入容量为1040pF(标称值)。反馈电容为180pF(标称值)。输出容量为200pF(标称值)。

关键字:12V  耐压  p通MOSFET  便携终端  充电开关

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/0224/article_17975.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
12V
耐压
p通MOSFET
便携终端
充电开关

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved