IR潘大伟:善用功率器件,为节能设计保驾护航

2013-02-24 16:53:32来源: 互联网
在可以预见的未来,电能将会成为我们主要的消耗能源。大至高速列车,小至手机,都不能脱离电能而存在。无论什么类型的电能,大部分都难以直接使用,必须借助功率半导体进行功率变换以驱动设备。近年来,全社会追求低能耗风潮愈演愈烈,如变频空调、变频冰箱等产品层出不穷,其最终目的就在于最大限度减少电能损耗,实现变频功能也需要功率器件发挥自身神奇作用。如何才能实现更高效的节能设计?功率器件是如何达成节能的?电子发烧友网编辑带着种种疑问,专访了知名电源厂商IR公司亚太区销售副总裁潘大伟先生。

  亟待解决电机节能设计问题

  随着社会的发展不断向前推进,人们的生活水平也得到了提高,冰箱、空调以及其他的自动化产品开始进入千家万户。这些产品一年消耗的电量是一个庞大的数字,一直让这些设备满载运行不符合当今节能减排的要求。因此变频电机就因时而起,迅速走进了大众的眼球。我们知道,电子单元的设计很复杂,并且涉及到了数字、模拟和功率计三个方面。与此同时,设计者还必须要以较低的成本去满足大批量推广高性能产品,这就对设计平台有较高的要求。IR相关节能方案是如何助力高效节能设计的?

IR潘大伟:善用功率器件,为节能设计保驾护航
IR公司亚太区销售副总裁潘大伟先生

  潘大伟表示,IR提供iMOTION™集成式设计平台,整个平台整合了所需要的数字、模拟和功率芯片,并且还有控制算法、开发软件和设计工具,可以帮助工程师完成包括识字控制IC和µIPM™电源模块的电机控制设计,从而能够构建整个系统。潘总强调,这个平台不但简化了工业应用以及采用变速电机家用电器的开发,而且可以将产品能耗降低60%。

  谈到具体的设计应用,潘大伟还给我们举了个实例:IR的高集成度小型µIPM™电源模块系列(专利申请)面向高效电器和轻工业应用。利用这个模块可以实现冰箱的压缩机驱动器、用于供暖和水循环的水泵、空调扇、洗碗机和自动化系统。由于整个产品采用了一个创新型的封装,µIPM系列就能够提供新的器件尺寸基准,进而将占位面积在现有三相电机控制电源IC的基础上缩小了60%之多。此外,还在线提供应用实例和面向各种功率高达1800W的电机控制应用的参考设计。

  IGBT等功率器件——善用节能利器

  由于具有开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小等优势,IGBT问世以来就受到广大用户的欢迎。尤其是在电机驱动器之类的工业应用领域,IGBT成为了首选的功率半导体器件。

  潘大伟特别强调,功率损耗的降低和电流密度的提高是IGBT的优势,同时也成了高级IGBT开发的主要目标。通过采用这样的功率器件,不但可以提高系统效率,提升功率处理能力,还可以获取成本优势。 例如减少余热排出系统(散热器)的数量。

  对于IGBT技术的进展,潘大伟还给我们介绍了IR的一个平台,那就是IR最新的Gen8 IGBT平台,这个平台提供了面向工业应用的出色技术。该IGBT平台还具有同类产品中最佳的Vce(on)、稳定性和开关特性,专门用于解决工业市场的严苛挑战。第八代(Gen8)1200V IGBT平台采用IR最新一代沟道场截止技术,为工业和节能应用提供了同类中最佳的性能。

  潘大伟还提到,Gen8 IGBT实现了出色的稳定性。新技术具有更软的关断特性,是电机驱动应用的理想之选,能够将dv/dt降至最低水平,从而降低了EMI和过电压,提高了可靠性和稳定性。参数分布范围窄,从而能够在大电流电源模块内并联多个IGBT时实现出色的电流共享。薄晶圆技术改善了热阻,提供了高达175°C的最高结温。

  新型功率器件为节能设计保驾护航

  最后,潘大伟介绍了IR采用IR最新功率MOSFET芯片300V器件系列,该系列产品为各种高效工业应用提供了基准通态电阻(Rds(on))。例如110-120 VAC线路调节器和110-120 VAC电源与DC-AC逆变器,包括太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。

  新功率MOSFET系列具有超低Rds(on),提高了系统效率,让设计者能够在并联多个MOSFET的情况下减少元件数量。IR的300V MOSFET系列具有基准Rds(on),能够提供更高的效率、电源密度和可靠性,适于需要更高系统效率的工业应用。新器件通过了工业级和一级湿度灵敏性(MSL1)认证,不含铅,符合RoHS指令的要求。

  半导体材料和技术的发展促进了功率器件的发展进步,两者的配合应用提高了电能的使用率,能够逐渐满足当前要求的能源标准。希望借助IR公司提供的各种节能方案,开发出更多更好的产品,满足社会日益增长的节能新需求。

关键字:IR  功率器件  节能设计

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2013/0224/article_17974.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
IR
功率器件
节能设计

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved