双栅极SET与MOSFET的混合特性

2012-10-29 12:36:04来源: 互联网

双栅极SETMOSFET 的混合特性

  由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双极SET/MOSFET 通用方波电路[8],它是构成逻辑门电路的基本单元,如图2 所示。

  

 

  图中双栅SET/MOSFET 的通用方波电路由SET、MOSFET 和恒流源构成。SET 的漏极电压由Vgg 控制,Vgg-Vth 要足够低以确保SET 漏源电压近似恒定工作在库仑振荡条件下,Vcon控制漏电流周期振荡的相位。接入恒流源Io 后,当IdsIo时,输出电压为低电平。同时,这里的恒流源Io 可利用耗尽型NMOSFET 设置加以实现。

  数字电路中,最基本的单元在于逻辑门设计。在上述电路基础上,由双栅SET/MOSFET基本电路单元可构造出所需的逻辑‘与或非’、‘异或’等基本门电路结构[9],如图(3)所示。当a=0,b=1 时,SET并联门实现逻辑函数Z =X•Y功能;当a=1,b=0 时,SET并联门实现逻辑函数Z =X•Y功能。当a=0,SET求和门实现逻辑函数Z =X⊕Y功能;当a=1,SET求和门实现逻辑函数Z =X⊕Y功能。

  

 

  图3 SET/MOSFET 构成的逻辑门电路及相应符号

关键字:双栅极  SET  MOSFET

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/1029/article_17225.html
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