微电子所在超高速ADC/DAC芯片研制方面取得突破性

2012-10-09 16:49:41来源: 互联网

近日,中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性进展,成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片。

  ADC芯片采用带插值平均的Flash结构,集成约1250只晶体管。测试结果表明,芯片可以在8GHz时钟频率下稳定工作,最高采样频率可达9GHz。超高速DAC芯片采用基于R-2R的电流开关结构,同时集成了10Gbps自测试码流发生电路,共包含1045只晶体管。测试结果表明,该芯片可以在10GHz时钟频率下正常工作。

  超高速ADC/DAC芯片在光通讯及无线宽带通信领域有广阔的应用前景。这两款芯片的研制成功,大大提升了国内单片高速ADC和DAC电路的最高采样频率,也为今后研制更高性能ADC/DAC电路打下了坚实的基础。

  

图1:高速ADC芯片评估板以及芯片照片

 

  图1:高速ADC芯片评估板以及芯片照片

  

图1:高速ADC芯片评估板以及芯片照片

 

  图2:8GS/s采样率下时钟输出以及D0、D1、D2数据信号眼图实测结果

  

图1:高速ADC芯片评估板以及芯片照片

 

  图3:高速DAC芯片评估板以及芯片照片

  

图1:高速ADC芯片评估板以及芯片照片

 

  图4:微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)测试结果

关键字:微电子  超高速  ADC  DAC

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/1009/article_17044.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
微电子
超高速
ADC
DAC

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved