温度传感器应用电路(二)

2012-09-14 14:37:07来源: 互联网

PN结温度传感器

     应用电路(二)
    下面我们来看看利用不带A/D转换器的单片机实现测温的应用电路。

    这里我们选用内带一个模拟比较放大器的AT89C2051单片机来实现这一功能,AT89C2051是一片ATMEL公司推出的兼容C51的8位单片机,内带2k的Flash程序存储器,128字节的内部RAM,具有15个I/O口,6个中断源,只有20个引脚,价格也相当便宜,可谓价廉物美的单片机。详细的资料可参见本网站的“ATMEL单片机”中的AT89C2051。其中内含一个模拟比较放大器,P1.0是比较放大器的同相输入端,P1.1是比较放大器的反相输入端,这两个输入输出口内部并没有上拉电阻,比较放大器的输出端连至P3.6,也没有引出,但可用指令访问该引脚。

PN结温度传感器的温度曲线

    在该单片机外接RC元件即可构成简单的,低精度的A/D转换电路,电路如图3所示,P1.0(同相端)接上RC充放电阻和电容,P1.1(反相端)作为外部被测温度电压的输入端,作为PN结温度传感器,本身输出电压较低,可参照上一节我们给出的放大电路,温度传感电压经放大后再引至单片机的输入端。P1.2充放电控制端通过一个数kΩ的电阻接正电源Vcc,因为R1远小于R2,可以认为在P1.2输出逻辑高电平时,电压是相当接近Vcc高电平的。

    电路工作过程如下:程序开始时,先置P1.2为逻辑低电平,并延时一小段时间,使P1.2为低电平,电容C经R2放完电,此时,P1.0=0V,而P1.1>0V,比较放大器输出“0”电平,接着置P1.2为高电平,同时定时器开始计时,当电容C上的电压Vc充到Vc=Vx时,P1.0与P1.1的电位相等,比较放大器的同相端和反相端电平相等时,输出端P3.6输出高电平,当扫描查询到P3.6为高电平时即停止计时,那么只要测得开始对电容充电到P3.6输出高电平的时间,通过换算即可得到外部被测温度电压的值。

    这里需要指出,从图4中我们可以看到,电容器的充电过程并非线性,其充电过程可以描述为: 
 
    这个非线性特性,我们在单片机编程时,可以通过补偿和校正的方法加以解决,最常用的方法也是最简单的方法是通过查表的办法进行修正。这样便可满足一种低精度简易的温度测量要求。

电阻应变片力传感器

力学传感器是将各种力学量转换为电信号的器件,力学量可分为几何学量、运动学量及力学量三部分,其中几何学量指的是位移、形变、尺寸等,运动学量是指几何学量的时间函数,如速度、加速度等。力学量包括质量、力、力矩、压力、应力等。根据被测力学的不同,这里我们首先要介绍的是应用最为广泛的应变式压力传感器,在以后的网页中,我们将逐步介绍其它类型的力学传感器。

    力学传感器的种类繁多,如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用最为广泛的是压阻式压力传感器,它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。下面我们主要介绍这类传感器。

    在了解压阻式力传感器时,我们首先认识一下电阻应变片这种元件。电阻应变片是一种将被测件上的应变变化转换成为一种电信号的敏感器件。它是压阻式应变传感器的主要组成部分之一。电阻应变片应用最多的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。金属电阻应变片又有丝状应变片和金属箔状应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上,当基体受力发生应力变化时,电阻应变片也一起产生形变,使应变片的阻值发生改变,从而使加在电阻上的电压发生变化。这种应变片在受力时产生的阻值变化通常较小,一般这种应变片都组成应变电桥,并通过后续的仪表放大器进行放大,再传输给处理电路(通常是A/D转换和CPU)显示或执行机构。

     金属电阻应变片的内部结构

    如图1所示,是电阻应变片的结构示意图,它由基体材料、金属应变丝或应变箔、绝缘保护片和引出线等部分组成。根据不同的用途,电阻应变片的阻值可以由设计者设计,但电阻的取值范围应注意:阻值太小,所需的驱动电流太大,同时应变片的发热致使本身的温度过高,不同的环境中使用,使应变片的阻值变化太大,输出零点漂移明显,调零电路过于复杂。而电阻太大,阻抗太高,抗外界的电磁干扰能力较差。一般均为几十欧至几十千欧左右。

电阻应变片的内部结构

关键字:温度  传感器  应用电路

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0914/article_16795.html
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